[發明專利]一種雙層或三層石墨烯制備方法在審
| 申請號： | 201811338738.3 | 申請日： | 2018-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN109485035A | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 郝玉峰;李少鵬 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | C01B32/186 | 分類號： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陳建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯 生長 三層 金屬箔襯 限域空間 金屬箔 制備 化學氣相沉積系統 乙炔 金屬箔管 均勻一致 氣相沉積 銅鎳合金 系統壓強 制備系統 卷曲 氫氣 甲烷 折疊 襯底 氣源 乙烯 | ||
【權利要求書】：
1.雙層或三層石墨烯制備方法，其特征是，以化學氣相沉積系統為生長制備系統，銅或銅鎳合金箔為生長襯底來生長大面積均勻一致的雙層及三層石墨烯；且所述金屬箔襯底放置于一個限域空間內，這一限域空間由另一片同樣的金屬箔折疊或卷曲成的金屬箔口袋或金屬箔管來實現，雙層或三層石墨烯能夠通過氣相沉積生長在金屬箔襯底上；用于生長石墨烯的氣源為甲烷、乙烯或乙炔和氫氣，生長溫度900-1050℃；生長時間30-600分鐘；系統壓強范圍從0.1Torr到大氣壓。
2.根據權利要求1所述的雙層或三層石墨烯制備方法，其特征是，金屬箔口袋在接口處有縫隙與外界連通；金屬管限域空間通過兩端與外界連通。
3.根據權利要求1或2所述的雙層或三層石墨烯制備方法，其特征是，由另一片金屬箔做成的金屬箔口袋或金屬箔管中口袋或卷曲成的金屬管。
4.根據權利要求1或3所述的雙層或三層石墨烯制備方法，其特征是，甲烷和氫氣的流量體積比為0.1:1-1:100。
5.根據權利要求1或3所述的雙層或三層石墨烯制備方法，其特征是，通過氬氣來調控生長系統內的壓強。
6.根據權利要求1或3所述的雙層或三層石墨烯制備方法，其特征是，襯底為銅箔或銅鎳合金箔。
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