[發明專利]頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐以及其加氧燒結的方法

有效

• 申請號: 201811338359.4
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109539782B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 祝林;賀賢漢;馬敬偉;戴洪興
• 申請（專利權）人: 上海申和熱磁電子有限公司;江蘇富樂德半導體科技有限公司
• 主分類號: F27B9/02
• 分類號: F27B9/02;F27B9/10;F27B9/24;F27B9/40
• 代理公司: 31203 上海順華專利代理有限責任公司
• 代理人: 顧蘭芳<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐，所述高溫燒結爐的爐膛從進口至出口依次為升溫區、恒溫區以及降溫區，其特征在于，還包括向爐膛頂部輸送氧氣的頂部通氧機構，所述頂部通氧機構通過一頂部支撐板固定在爐膛的頂部；

所述頂部通氧機構包括用于向升溫區輸送氧氣的升溫區輸氧管路、用于向恒溫區輸送氧氣的恒溫區輸氧管路以及向降溫區輸送管路的降溫區輸送管路；

所述升溫區輸氧管路、恒溫區輸氧管路、降溫區輸送管路三者的進氣口均位于爐膛外，所述升溫區輸氧管路、恒溫區輸氧管路、降溫區輸送管路三者的排氣孔分別位于升溫區、恒溫區以及降溫區；

還包括向爐膛底部輸送氧氣的底部通氧機構，所述底部通氧機構通過一底部支撐板固定在爐膛的底部；

所述底部通氧機構的進氣口均位于爐膛外，所述底部通氧機構在升溫區、恒溫區以及降溫區均開設有排氣孔；

所述底部通氧機構的上方還設有用于支撐傳送帶的墊板，所述墊板架設在所述底部支撐板的上方，所述墊板與所述爐膛的內腔圍成氧氣均壓腔，所述墊板上開設有導出氧氣均壓腔內的氧氣的出氧孔；

當銅片與陶瓷位于升溫區時，升溫區的溫度控制在700℃～1070℃，時間15min～25min，升溫區的氧含量30～70ppm；

當銅片與陶瓷位于恒溫區時，恒溫區的溫度控制在1080℃～1120℃，時間10min～20min，降溫區氧含量15～30ppm；

當銅片與陶瓷位于降溫區時，降溫區的溫度控制在1050℃～950℃，時間10min～20min，降溫區氧含量5～20ppm。

2.根據權利要求1所述的頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐，其特征在于：所述升溫區輸氧管路包括至少兩個平行設置的升溫區分支管路以及升溫區主支管，所述升溫區主支管的出口與至少兩個升溫區分支管路的進口導通，且至少兩個升溫區分支管路從升溫區伸入所述爐膛內，所述升溫區分支管路位于升溫區的部分開設有排氣孔；

所述恒溫區輸氧管路包括至少兩個平行設置的恒溫區分支管路以及恒溫區主支管，所述恒溫區主支管的出口與至少兩個恒溫區分支管路的進口導通，且至少兩個恒溫區分支管路從升溫區伸入爐膛內，所述恒溫區分支管路從升溫區延伸至恒溫區，且恒溫區分支管路位于恒溫區的部分開設有排氣孔；

所述降溫區輸氧管路包括至少兩個平行設置的降溫區分支管路以及降溫區主支管，所述降溫區主支管的出口與至少兩個降溫區分支管路的進口導通，且至少兩個降溫區分支管路從降溫區伸入爐膛內，所述降溫區分支管路位于降溫區的部分開設有排氣孔。

3.根據權利要求1所述的頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐，其特征在于：所述升溫區分支管路設有兩個，所述恒溫區分支管路設有兩個，所述降溫區分支管路設有兩個。

4.根據權利要求1所述的頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐，其特征在于：所述底部通氧機構包括至少兩個底部輸送支管以及底部輸送主管，所述底部輸送主管的出口分別與至少兩個底部輸送支管的進口導通；

至少兩個底部輸送支管從升溫區伸入所述爐膛內，且從升溫區延伸至降溫區；

所有的底部輸送支管在升溫區、恒溫區以及降溫區的部分均開設有排氣孔。

5.根據權利要求1所述的頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐，其特征在于：所述頂部通氧機構中所有的排氣孔的出氣方向均為傾斜向下，且與水平面的夾角小于10度；

所述底部通氧機構中所有的排氣孔的出氣方向均為傾斜向下，且與水平面的夾角小于10度。

6.根據權利要求1所述的頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐，其特征在于：所述爐膛上開設有三個用于穿過取氧管路的開口，三個開口分別位于升溫區、恒溫區以及降溫區，所述取氧管路從開口伸入所述爐膛內；

所述取氧管路的出氣口與一氧分析儀的進樣口導通。

7.根據權利要求1所述的頂部及底部雙向通氧式高溫燒結爐，其特征在于：所述頂部支撐板與所述爐膛的內壁焊接相連，所述頂部支撐板上設有用于穿過頂部通氧機構的穿孔；

所述底部支撐板與所述爐膛的內壁焊接相連，所述底部支撐板上設有用于穿過底部通氧機構的穿孔。