[發明專利]多層陶瓷電容器及制造該多層陶瓷電容器的方法

在審

• 申請號: 201811337687.2
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN110828163A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 樸龍;洪奇杓
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/002
• 分類號: H01G4/002;H01G4/224;H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 祝玉媛;何巨

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括介電層，并且具有彼此相對的第一表面和第二表面、連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面且彼此相對的第五表面和第六表面；

多個內電極，設置在所述陶瓷主體中，暴露于所述第一表面和所述第二表面，并且每個內電極具有暴露于所述第三表面或所述第四表面的一端；以及

第一側邊緣部和第二側邊緣部，分別設置在所述內電極的暴露于所述第一表面的端部和所述第二表面的端部上，

其中，所述第一側邊緣部在所述陶瓷主體的所述第一表面與所述陶瓷主體的所述第五表面和所述第六表面彼此相交的拐角部分處相對于所述第五表面或所述第六表面具有呈相同符號的斜度，并且所述第二側邊緣部在所述陶瓷主體的所述第二表面與所述陶瓷主體的所述第五表面和所述第六表面彼此相交的拐角部分處相對于所述第五表面或所述第六表面具有呈相同符號的斜度，并且

所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣中的每個的平均厚度為2μm或者更大至10μm或更小。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與設置在所述陶瓷主體的最外部中的內電極的末端相接觸的區域的厚度與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部與所述多個內電極之中的設置在所述陶瓷主體的中央部分中的內電極的末端相接觸的區域的厚度的比為0.9或者更大至1.0或更小。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述陶瓷主體的拐角相接觸的區域的厚度與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述多個內電極之中的設置在所述陶瓷主體的中央部分中的內電極的末端相接觸的區域的厚度的比為0.9或者更大至1.0或更小。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小，并且所述內電極的厚度為0.4μm或更小。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部被設置為不超過所述陶瓷主體的所述第三表面分別與所述陶瓷主體的所述第五表面和所述第六表面相交處的點，并且所述第二側邊緣部被設置為不超過所述陶瓷主體的所述第四表面分別與所述陶瓷主體的所述第五表面和所述第六表面相交處的點。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部不在所述陶瓷主體的所述第五表面和所述第六表面之上延伸，并且所述第二側邊緣部不在所述陶瓷主體的所述第五表面和所述第六表面之上延伸。

7.一種制造多層陶瓷電容器方法，所述方法包括：

制備第一陶瓷生片和第二陶瓷生片，其中，在所述第一陶瓷生片上形成其間具有預定間隔的多個第一內電極圖案，在所述第二陶瓷生片上形成其間具有預定間隔的多個第二內電極圖案；

通過堆疊所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片使得所述第一內電極圖案和所述第二內電極圖案彼此交替來形成陶瓷生片層疊體；

將所述陶瓷生片層疊體切割成具有在寬度方向上使所述第一內電極圖案的末端和所述第二內電極圖案的末端暴露的側表面；以及

在切割的陶瓷生片層疊體的使所述第一內電極圖案的末端和所述第二內電極圖案的末端暴露的所述側表面上形成第一側邊緣部和第二側邊緣部，

其中，所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中的每個的平均厚度為2μm或者更大至10μm或更小。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片的厚度為0.6μm或更小，并且所述第一內電極和所述第二內電極的厚度為0.5μm或更小。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與設置在所述陶瓷生片層疊體的最外部中的內電極圖案的末端相接觸的區域的厚度與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述多個第一內電極圖案和所述多個第二內電極圖案之中的設置在所述陶瓷生片層疊體的中央部分中的內電極圖案的末端相接觸的區域的厚度的比為0.9或者更大至1.0或更小。