[發(fā)明專利]陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811337540.3
• 申請(qǐng)日: 2018-11-12
• 公開（公告）號(hào): CN109239970A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付興凱;八木敏文;洪孟逸;陳盈惠;楊仁光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1335
• 分類號(hào): G02F1/1335;G02F1/1337
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;劉芳

本發(fā)明提供一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括：襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的多個(gè)像素電極，像素電極上設(shè)置有槽口，襯底基板上具有與液晶層中液晶分子偏轉(zhuǎn)時(shí)形成在液晶層上的黑紋相對(duì)的黑紋區(qū)，槽口與黑紋區(qū)對(duì)應(yīng)；槽口貫穿像素電極；當(dāng)像素電極和公共電極帶電時(shí)，由于在像素電極上具有槽口，槽口處的電勢(shì)與槽口外側(cè)不一致，造成等勢(shì)線在槽口處的大幅彎曲，進(jìn)而引起電場(chǎng)方向在槽口處的較快變化，較快變化的彎曲電場(chǎng)導(dǎo)致槽口對(duì)應(yīng)的液晶分子的排列發(fā)生較快變化，進(jìn)而使產(chǎn)生黑紋的液晶分子分布區(qū)域變窄，減小了液晶層上黑紋的面積，增大了開口率，提高了顯示效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的逐漸發(fā)展，液晶顯示面板因其具有較好的顯示效果，而逐漸應(yīng)用在電視、電腦等顯示裝置上。

液晶顯示面板一般包括背光源、陣列基板、液晶層以及彩膜基板；陣列基板上具有呈陣列設(shè)置的多個(gè)像素區(qū)，每一像素區(qū)內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置有一個(gè)像素電極，彩膜基板包括公共電極。像素電極和公共電極帶電時(shí)，在像素電極和公共電極之間形成電場(chǎng)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)像素區(qū)正對(duì)的液晶層內(nèi)的液晶分子偏轉(zhuǎn)，從而使背光源發(fā)出的光線穿過(guò)液晶層，以實(shí)現(xiàn)液晶顯示面板的圖像顯示。每一像素區(qū)內(nèi)對(duì)應(yīng)的液晶分子一般通過(guò)光配向技術(shù)進(jìn)行配向，使液晶分子具有一定的預(yù)傾角。采用光配向的液晶顯示面板的開口率較大，對(duì)比度較高，提升了液晶顯示面板的顯示效果。

然而，在像素電極和公共電極帶電時(shí)，由于同一像素區(qū)對(duì)應(yīng)的液晶分子的預(yù)傾角不同，使得與像素區(qū)正對(duì)的液晶層上形成呈十字形的黑紋，導(dǎo)致開口率較小、顯示效果差。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，以解決由于同一像素區(qū)對(duì)應(yīng)的液晶層內(nèi)液晶分子的預(yù)傾角不同，使得與像素區(qū)正對(duì)的液晶層上形成呈十字形的黑紋，導(dǎo)致開口率較小、顯示效果差的技術(shù)問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的多個(gè)像素電極，所述像素電極上設(shè)置有槽口，所述襯底基板上具有與液晶層中液晶分子偏轉(zhuǎn)時(shí)形成在所述液晶層上的黑紋相對(duì)的黑紋區(qū)，所述槽口與所述黑紋區(qū)對(duì)應(yīng)；所述槽口貫穿所述像素電極。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選地，所述黑紋區(qū)包括第一暗線和第二暗線，所述第一暗線與所述第二暗線相交呈十字形；所述槽口包括第一槽口和第二槽口,所述第一槽口與所述第一暗線對(duì)應(yīng)，且所述第二槽口與所述第二暗線對(duì)應(yīng)。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選地，所述第一槽口和所述第二槽口的寬度均為3μm-4.5μm。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選地，所述第一暗線與所述第二暗線相交于相交點(diǎn)，所述第一槽口包括與所述相交點(diǎn)一側(cè)的所述第一暗線對(duì)應(yīng)的第一凹槽，以及與所述相交點(diǎn)另一側(cè)的所述第一暗線對(duì)應(yīng)的第二凹槽；所述第二槽口包括與所述相交點(diǎn)一側(cè)的所述第二暗線對(duì)應(yīng)的第三凹槽，以及與所述相交點(diǎn)另一側(cè)的所述第二暗線對(duì)應(yīng)的第四凹槽；所述第一凹槽位于所述第一暗線背離所述黑紋移動(dòng)方向的一側(cè)，且所述第一凹槽與所述第一暗線之間具有預(yù)設(shè)距離，所述第二凹槽位于所述第一暗線背離所述黑紋移動(dòng)方向的一側(cè)，且所述第二凹槽與所述第一暗線之間具有預(yù)設(shè)距離，所述第三凹槽位于所述第二暗線背離所述黑紋移動(dòng)方向的一側(cè)，且所述第三凹槽與所述第二暗線之間具有預(yù)設(shè)距離，所述第四凹槽位于所述第二暗線背離所述黑紋移動(dòng)方向的一側(cè)，且所述第四凹槽與所述第二暗線之間呈預(yù)設(shè)距離。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)距離為四分之一至二分之一所述黑紋寬度。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選地，所述像素電極為氧化銦錫層。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選地，所述像素電極為多個(gè)，多個(gè)所述像素電極在所述襯底基板上陣列設(shè)置。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選地，所述陣列基板上還設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管與所述像素電極電連接。