[發明專利]空氣橋制造方法

在審

• 申請號: 201811337306.0
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109473391A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 范謙;倪賢鋒;何偉
• 申請（專利權）人: 蘇州漢驊半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種空氣橋制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底和形成在半導體襯底上的至少兩個待連接的電極；

在所述襯底和電極表面形成第一光刻膠層，對所述第一光刻膠層進行部分曝光后對所述第一光刻膠層進行顯影，以形成橋體和暴露出電極表面；

在所述電極和第一光刻膠層上依次形成金屬種層和第二光刻膠層，并對所述第二光刻膠層進行光刻，去除所述橋體和電極上的第二光刻膠層，形成窗口；

在所述窗口內的金屬種層上形成金屬電鍍層，并去除剩余的第二光刻膠層；

去除非所述窗口內的金屬種層，去除所述第一光刻膠層，形成空氣橋。

2.根據權利要求1所述的空氣橋制造方法，其特征在于，采用灰度掩膜法或者近似曝光法對所述第一光刻膠層進行部分曝光。

3.根據權利要求2所述的空氣橋制造方法，其特征在于，所述灰度掩膜法對所述第一光刻膠層進行部分曝光的過程包括：

設計橋體的形狀，并計算所述第一光刻膠層不同位置的曝光劑量；

根據計算結果調整掩膜在所述第一光刻膠層相對應的位置處的透射率；

使用紫外光照射所述掩膜。

4.根據權利要求2所述的空氣橋制造方法，其特征在于，所述近似曝光法對所述第一光刻膠層進行部分曝光的過程包括：

設計橋體的形狀，并采用等高線擬合所述橋體的形狀，同一等高線位置的曝光劑量相同；

將所述第一光刻膠層劃分為n個不同平面區域，其中，n為等高線的條數。

采用n個掩模對所述n個平面區域依次進行曝光，每個掩膜的透明區域分別對應一個所述平面區域。

5.根據權利要求1所述的空氣橋制造方法，其特征在于，所述金屬種層為包含鈦、金和銅中任意兩種或多種金屬的疊層。

6.根據權利要求1所述的空氣橋制造方法，其特征在于，所述金屬層中的金屬為銅、金、鎳、鈀中的任意組合。

7.根據權利要求1所述的空氣橋制造方法，其特征在于，采用泛曝光法或者氧等離子體焚燒法去除剩余的第二光刻膠層。

8.根據權利要求7所述的空氣橋制造方法，其特征在于，所述泛曝光法去除剩余第二光刻膠層的過程包括：在無掩膜的情況下，使用紫外光照射所述第二光刻膠層；將所述第二光刻膠層浸泡在顯影劑中去除。

9.根據權利要求7所述的空氣橋制造方法，其特征在于，所述氧等離子體焚燒法去除剩余的第二光刻膠層的過程包括：將所述第二光刻膠層置于氧等離子環境中完全燃燒。