[發明專利]基于二維二硫化鉬納米薄膜與碲化鎘晶體的II型異質結近紅外光電探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 201811336892.7
• 申請日: 2018-11-12
• 公開（公告）號: CN109449243A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 吳翟;趙智慧;王媛鴿;賈誠;吳恩平;史志鋒;李新建
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y30/00
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101
• 代理人: 盧敏

1.基于二維二硫化鉬納米薄膜與碲化鎘晶體的II型異質結近紅外光電探測器，其特征在于：

所述的II型異質結近紅外光電探測器是在碲化鎘晶體(1)表面的部分區域平鋪有二維二硫化鉬納米薄膜(2)；在所述二維二硫化鉬納米薄膜(2)上設置有與所述二維二硫化鉬納米薄膜(2)呈歐姆接觸的第一金屬電極(3)，在所述碲化鎘晶體(1)上設置有與所述碲化鎘晶體(1)呈歐姆接觸的第二金屬電極(4)，所述第二金屬電極(4)與所述二維二硫化鉬納米薄膜(2)間隔設置；

所述碲化鎘晶體(1)與二維二硫化鉬納米薄膜(2)之間形成II型異質結，并以所述第一金屬電極(3)和所述第二金屬電極(4)作為兩輸出級，構筑成為II型異質結近紅外光電探測器。

2.根據權利要求1所述的II型異質結近紅外光電探測器，其特征在于：所述碲化鎘晶體(1)的導電類型為p型、電阻率為1×10³-1×10⁷Ω·cm^-1。

3.根據權利要求1所述的II型異質結近紅外光電探測器，其特征在于：所述二維二硫化鉬納米薄膜(2)的厚度在0.65～100納米范圍內。

4.根據權利要求1所述的II型異質結近紅外光電探測器，其特征在于：所述第一金屬電極(3)與所述第二金屬電極(4)各自獨立的選自是金、銀、鉑、鋁、銅或鈦。

5.一種權利要求1～4中任意一項所述的II型異質結近紅外光電探測器的制備方法，其特征在于：

首先，通過兩步熱分解方法制備二維二硫化鉬納米薄膜；然后將所得二維二硫化鉬納米薄膜轉移到碲化鎘晶體表面；最后再通過熱蒸發或電子束鍍膜方法在二維二硫化鉬納米薄膜上制備第一金屬電極、在碲化鎘晶體上制備第二金屬電極，即完成II型異質結近紅外光電探測器的制備。