[發明專利]半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201811333707.9 | 申請日： | 2018-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN110444606A | 公開（公告）日： | 2019-11-12 |
| 發明（設計）人： | 千大煥;周洛龍 | 申請（專利權）人： | 現代自動車株式會社;起亞自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體裝置 襯底 第二電極 第一表面 第一電極 區域設置 側表面 第二表面 頂表面 制造 | ||
1.一種半導體裝置，其包括：
n型層，其設置在襯底的第一表面上；
p+型區域，其設置在襯底的第一表面上；
p-型區域，其設置在所述n型層的頂表面上；
第一電極，其設置在所述p+型區域的頂表面上和所述p-型區域的頂表面上；
第二電極，其設置在襯底的第二表面上；
其中，所述p+型區域的側表面和所述n型層的側表面接觸；
所述p+型區域的厚度與所述n型層的厚度和所述p-型區域的厚度的總和相同。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述p+型區域的離子摻雜濃度高于所述p-型區域的離子摻雜濃度。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述p+型區域的側表面和所述p-型區域的側表面接觸。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述p+型區域的電荷量與所述n型層的電荷量相同。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，
所述第一電極包括設置在所述p-型區域的頂表面上的第一金屬層和設置在所述第一金屬層上的第二金屬層；
所述第一金屬層與所述p-型區域連續接觸。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，
所述第一金屬層包括肖特基金屬；
所述第二金屬層和所述第二電極包括歐姆金屬。
7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述第二金屬層設置在所述p+型區域的頂表面上，并且所述第一金屬層設置在所述p-型區域的頂表面上。
8.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述第一金屬層設置在所述p+型區域的頂表面和所述p-型區域的頂表面上。
9.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，
所述p+型區域包括設置在所述襯底的第一表面上的第一P濃度層和設置在所述第一P濃度層上的第二P濃度層；
所述第一電極的第一金屬層設置在所述p-型區域的頂表面和所述第二P濃度層的頂表面上。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述第一P濃度層的離子摻雜濃度高于所述第二P濃度層的離子摻雜濃度。
11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，
所述n型層包括設置在所述襯底的第一表面上的第一N濃度層和設置在所述第一N濃度層上的第二N濃度層；
所述p-型區域設置在所述第二N濃度層的頂表面上。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述第一N濃度層的離子摻雜濃度高于所述第二N濃度層的離子摻雜濃度。
13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述襯底是n+型碳化硅襯底。
14.一種用于制造半導體裝置的方法，其包括：
在襯底的第一表面上形成n型層；
蝕刻n型層的一部分以形成暴露襯底的第一表面的一部分的襯底暴露區域，其中，通過襯底的第一表面和n型層的側表面形成所述襯底暴露區域；
在所述襯底暴露區域處形成p+型區域；
在所述n型層上形成p-型區域；
在所述p+型區域的頂表面上和所述p-型區域的頂表面上形成第一電極；
在襯底的第二表面上形成第二電極；
其中，所述p+型區域的側表面和所述n型層的側表面接觸；
所述p+型區域的厚度與所述n型層的厚度和所述p-型區域的厚度的總和相同。
15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述p+型區域的離子摻雜濃度高于所述p-型區域的離子摻雜濃度。
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