[發明專利]一種發光二極管的外延片的制備方法

有效

• 申請號: 201811331970.4
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN109671824B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 丁濤;周飚;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00;C23C28/04;C23C16/34;C23C14/06
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供多個襯底；

通過物理氣相沉積PVD在所述襯底上沉積AlN層；

將所述多個襯底放置在金屬有機化合物化學氣相沉積MOCVD設備內，所述MOCVD設備包括反應腔、放置在所述反應腔內的可轉動的轉盤，所述轉盤上設置有用于放置所述襯底的多個圓形凹槽，所述多個圓形凹槽分布在多個同心圓上；

在所述AlN層上生長GaN成核層，所述多個圓形凹槽內的GaN成核層的厚度隨所述同心圓的直徑的增大而減小，所述多個圓形凹槽內的GaN成核層的厚度減小的程度，與所述多個同心圓的位置處離心力不同所導致的翹曲量相互抵消；

在所述GaN成核層上依次生長未摻雜的GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層及P型GaN層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，每兩個相鄰的同心圓上的圓形凹槽內的GaN成核層的厚度之差的絕對值均相等。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述厚度之差的絕對值為5～10nm。

4.根據權利要求1～3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在所述AlN層上生長GaN成核層包括：

在所述AlN層上依次生長第一GaN成核子層、第二GaN成核子層，所述第一GaN成核子層的生長溫度為800～1100℃，所述第二GaN成核子層的生長溫度為1200～1800℃。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一GaN成核子層的厚度為1～20nm，所述第二GaN成核子層的厚度為50～100nm。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述多個圓形凹槽內的第一GaN成核子層的厚度隨所述同心圓的直徑的增大而減小，所述多個圓形凹槽內的第二GaN成核子層的厚度隨所述同心圓的直徑的增大而減小。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，每兩個相鄰的同心圓上的圓形凹槽內的第一GaN成核子層的厚度之差的絕對值均相等，每兩個相鄰的同心圓上的圓形凹槽內的第二GaN成核子層的厚度之差的絕對值均相等。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述GaN成核層的厚度為10～50nm。

9.根據權利要求1～3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述通過物理氣相沉積PVD在所述襯底上沉積AlN層包括：在所述通過磁控濺射襯底上沉積AlN層。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述AlN層的厚度為10～50nm。