[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 201811331215.6
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN110875256A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 康庭慈
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

1.一種半導體元件，包括：

至少一芯片；以及

一密封環，經配置以環繞該芯片，其中該密封環包括至少一第一區段及至少一第二區段；

其中該第一段包括一波浪狀結構。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第二段包括一波浪狀結構。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第二段包括一直線狀結構。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其中該密封環是一封閉回路。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其中該密封環包括至少一第一層。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其中該密封環還包括至少一第二層。

7.如權利要求5所述的半導體元件，其中第一層包括一通孔。

8.如權利要求6所述的半導體元件，其中該第二層的材料包括銅。

9.一種半導體元件，包括：

一基底，其上具有一圖案，其中該圖案包括一內輪廓及一外輪廓；

一第一通孔層，基于該圖案設置在該基底上；

一第一金屬層，設置在該第一通孔層上；

一第二通孔層，設置在該第一金屬層上；

一第二金屬層，設置在該第二通孔層上；

一第三通孔層，設置在該第二金屬層上；

一第三金屬層，該設置在該第三通孔層上；

一鈍氧化層，經設置并覆蓋該第三金屬層；以及

一鈍氮化層經設置并覆蓋該鈍氧化層；

其中該圖案包括至少一第一區段及至少一第二區段，該第一段包括一波浪狀圖案。

10.如權利要求9所述的半導體元件，其中該第二段包括一波浪狀結構。

11.如權利要求9所述的半導體元件，其中該第二段包括一直線狀結構。

12.如權利要求9所述的半導體元件，其中該密封環是一封閉回路。

13.一種半導體元件的制備方法，包括：

提供一基底，其上具有一圖案，其中該圖案包括一內輪廓及一外輪廓；

基于該圖案，形成一第一通孔層在該基底上；

形成一第一金屬層在該第一通孔層上；

形成一第二通孔層在該第一金屬層上；

形成一第二金屬層在該第二通孔層上；

形成一第三通孔層在該第二金屬層上；

形成一第三金屬層在該第三通孔層上；

形成一鈍氧化層，覆蓋該第三金屬層；

形成一鈍氮化層，覆蓋該鈍氧化層；以及

其中該圖案包括至少一第一區段及至少一第二區段，該第一段包括一波浪狀圖案。

14.如權利要求13所述的制備方法，其中形成一第一通孔層在該基底上的步驟還包括形成至少一通孔在該第一通孔層中。

15.如權利要求13所述的制備方法，其中該第一金屬層的材料是銅。

16.如權利要求13所述的制備方法，其中形成一第二通孔層在該基底上的步驟還包括形成至少一通孔在該第二通孔層中。

17.如權利要求13所述的制備方法，其中該第二金屬層的材料和該第一金屬層的材料相同。

18.如權利要求13所述的制備方法，其中該第二金屬層的材料和該第一金屬層的材料不同。

19.如權利要求16所述的制備方法，其中該第二通孔層的通孔數量和該第一通孔層的通孔數量相同。

20.如權利要求16所述的制備方法，其中該第二通孔層的通孔數量和該第一通孔層的通孔數量不同。