[發(fā)明專利]一種固態(tài)下NiTi單晶循環(huán)熱處理制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811331192.9 | 申請日: | 2018-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN109136806B | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 紀仁杰;王浩宇;金輝;劉永紅;李小朋;張凡;楊澤林;蔡寶平 | 申請(專利權(quán))人: | 中國石油大學(xué)(華東) |
| 主分類號: | C22F1/10 | 分類號: | C22F1/10;C22F1/02;C22C19/05;C30B33/02;C30B29/52 |
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| 地址: | 266580 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 固態(tài) niti 循環(huán) 熱處理 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種固態(tài)下NiTi單晶循環(huán)熱處理制備方法,包括以下步驟:A1、將NiTi合金原材料切割成合適尺寸,放入馬弗爐,抽真空并通入氬氣,隨馬弗爐升溫至980~1000℃,保溫80~120min;A2、后緩慢降溫至590~620℃,保溫8~12min;A3、按照一定升溫速率升溫,對所述NiTi合金進行940~980℃高溫熱處理80~120min,高溫熱處理后緩慢降溫至590~620℃,保溫8~12min;A4、根據(jù)需要,重復(fù)上述步驟A3至少一次,直至形成單晶尺寸達到要求;或者不重復(fù);A5、按照一定升溫速率升溫,對所述NiTi合金進行940~980℃高溫熱處理400~600min;A6、高溫熱處理后立即在室溫利用去離子水淬火。循環(huán)熱處理制備方法制備出的NiTi單晶,晶粒取向均勻、缺陷少,所述NiTi晶粒最大可達6mm。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及NiTi單晶制備技術(shù)領(lǐng)域,具體的涉及一種固態(tài)下NiTi單晶循環(huán)熱處理制備方法。
背景技術(shù)
鎳鈦(NiTi)形狀記憶合金(Shape Memory Alloy,簡稱SMA)以其獨特的記憶特性,優(yōu)良的超彈性、耐腐蝕性、生物相容性等,在工程、控制、醫(yī)療、能源、機械等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。眾所周知,許多單晶材料性質(zhì)與多晶材料不同,對于NiTi合金材料也是如此,雖NiTi合金已被廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域,但對其相變及形狀記憶特性的研究還不夠透徹。通過研究其單晶性質(zhì)對建立新的NiTi單晶理論模型,從微觀的角度來揭示材料的相變行為、為多晶體的本構(gòu)模型研究提供理論支持,以及NiTi合金的進一步應(yīng)用有重要意義。
目前國內(nèi)外常用的單晶生長制備方法大致可以分為氣相生長、溶液生長、水熱生長、熔鹽法、熔體法。最常見的技術(shù)有提拉法、區(qū)熔法、定向凝固法等。提拉法是將構(gòu)成晶體的原料放在坩堝中加熱熔化,在熔體表面接籽晶提拉熔體,在受控條件下,使籽晶和熔體在交界面上不斷進行原子或分子的重新排列,隨降溫逐漸凝固而生長出單晶體。區(qū)熔法是利用熱能在半導(dǎo)體棒料的一端產(chǎn)生熔區(qū),再熔接單晶籽晶。調(diào)節(jié)溫度使熔區(qū)緩慢地向棒的另一端移動,通過整根棒料,生長成一根單晶,晶向與籽晶的相同。定向凝固是在凝固過程中采用強制手段,在凝固金屬樣未凝固熔體中建立起沿特定方向的溫度梯度,從而使熔體在氣壁上形核后沿著與熱流相反的方向,按要求的結(jié)晶取向進行凝固的方法。但以上方法均存在著以下缺陷:(1)需要材料在熔融狀態(tài)下進行,與設(shè)備直接接觸,容易引進雜質(zhì);(2)設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本高;(3)處理周期長,效率低。
循環(huán)熱處理方法目前主要用于各種合金,例如NiTi合金、TiAl合金等的組織細化,其高溫區(qū)間一般在1200℃以上;同時也應(yīng)用于制備合金單晶,例如Cu-Al-Mn合金定向凝固并循環(huán)熱處理后,可制備出Cu-Al-Mn合金單晶,但定向凝固需要專門真空定向凝固爐,設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜成本高,且材料需要熔融狀態(tài)下進行,易引入雜質(zhì)。其他合金循環(huán)熱處理制備單晶時,高溫保溫時間短(少于一小時)、溫度低(低于900℃),且NiTi合金對溫度非常敏感,十幾度溫度變化即對晶粒大小影響劇烈,所以通常循環(huán)熱處理方式并不適用于NiTi合金單晶制備。在關(guān)于NiTi合金單晶的材料科學(xué)實驗研究中,可能只需要一小塊單晶,在滿足實驗需求的情況下,可將某些局部大晶粒區(qū)域視作單晶,或以這些大晶粒為基礎(chǔ)去掉周邊小晶粒區(qū)域制得小塊單晶。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種高效低成本的NiTi單晶制備方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種固態(tài)下NiTi單晶循環(huán)熱處理制備方法,包括以下步驟:
A1、將NiTi合金原材料切割成合適尺寸,放入馬弗爐,抽真空并通入氬氣,隨馬弗爐升溫至980~1000℃,保溫80~120min;
A2、后緩慢降溫至590~620℃,保溫8~12min;
A3、按照一定升溫速率升溫,對所述NiTi合金進行940~980℃高溫熱處理80~120min,高溫熱處理后緩慢降溫至590~620℃,保溫8~12min;
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