[發明專利]間隙填充方法

有效

• 申請號: 201811331123.8
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN109786223B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: J·F·卡梅倫;K·張;崔莉;D·格林;山田晉太郎
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限責任公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;C07C45/69;C07C49/753
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;胡嘉倩

1.一種方法，其包括：(a)提供半導體裝置襯底，所述襯底的表面上具有浮雕圖像，所述浮雕圖像具有多個待填充的間隙；(b)將涂層組合物施加至所述浮雕圖像并填充所述間隙以提供涂層，其中所述涂層組合物包含(i)聚亞芳基寡聚物，其包含一種或多種具有兩個或更多個環戊二烯酮部分的第一單體和一種或多種具有芳香族部分和兩個或更多個炔基部分的第二單體作為聚合單元；其中所述聚亞芳基寡聚物具有1000至6000Da的M_w、1至2的PDI，以及1:>1的總第一單體比總第二單體的摩爾比；和(i i)一種或多種有機溶劑；(c)使所述涂層固化以形成聚亞芳基膜；(d)在所述聚亞芳基膜上設置無機硬掩模層；(e)在所述無機硬掩模層上設置光致抗蝕劑層；(f)使所述光致抗蝕劑層圖案化；(g)將所述圖案從所述光致抗蝕劑層轉移至所述聚亞芳基膜；以及(h)隨后將所述圖案轉移至所述半導體裝置襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述聚亞芳基寡聚物具有2000至3500Da的M_w。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述聚亞芳基寡聚物具有1.25至1.75的PDI。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述聚亞芳基寡聚物具有2至3.75的聚合度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述總第一單體比總第二單體的摩爾比為1:1.01至1:1.5。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述硬掩模層與所述光致抗蝕劑層之間設置有機抗反射劑層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述聚亞芳基寡聚物進一步包含一種或多種封端單體作為聚合單元。

8.根據權利要求1所述的方法，其中至少一種第一單體具有式(1)中所示的結構

其中每一R¹⁰獨立地選自H、C_1-6烷基和任選取代的C_5-20芳基；并且Ar³是具有5至60個碳的芳基部分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中至少一種第二單體具有式(5)中所示的結構

其中Ar¹和Ar²各自獨立地為C_5-30芳基部分；每一R獨立地選自H和任選地取代的C_5-30芳基；每一R¹獨立地選自C_1-10烷基、C_1-10鹵代烷基、C_1-10羥烷基、C_1-10烷氧基、CN和鹵基；每一Y獨立地為單個共價化學鍵或二價連接基團，所述二價連接基團選自–O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)₂-、-C(＝O)-、-(C(R⁹)₂)_z-、C_6-30芳基和–(C(R⁹)₂)_z1-(C_6-30芳基)-(C(R⁹)₂)_z2-；每一R⁹獨立地選自H、羥基、鹵基、C_1-10烷基、C_1-10鹵代烷基和C_6-30芳基；a1＝0至4；每一a2＝0至4；b1＝1至4；每一b2＝0至2；a1+每一a2＝0至6；b1+每一b2＝2至6；d＝0至2；z＝1至10；z1＝0至10；z2＝0至10；以及z1+z2＝1至10。

10.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括移除所述聚亞芳基膜的步驟。

11.一種組合物，其包含聚亞芳基寡聚物和有機溶劑；其中所述聚亞芳基寡聚物包含一種或多種具有兩個或更多個環戊二烯酮部分的第一單體、一種或多種具有芳香族部分和兩個或更多個炔基部分的第二單體，以及一種或多種具有一個親二烯部分的封端單體作為聚合單元；其中所述聚亞芳基寡聚物具有1000至6000Da的M_w、1至2的PD I，以及1:>1的總第一單體比總第二單體的摩爾比。