[發明專利]一種快速生長SnO2

有效

• 申請號: 201811331082.2
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN109179491B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 楊為家;劉銘全;劉俊杰;何鑫;張弛
• 申請（專利權）人: 五邑大學
• 主分類號: C01G19/02
• 分類號: C01G19/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 吳偉文

1.一種快速生長SnO₂納米片的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1)、生長溶液的制備

S101)、將0.1-0.3質量份數的氯化亞錫、和0.05-0.1質量份數的醋酸鈉加入到15-30體積份數的去離子水中磁力攪拌15-30min，得到A溶液；

S102)、將0.05-0.1質量份數的六次甲基四胺加入到15-30體積份數的去離子水中，磁力攪拌15-30min，得到B溶液；

S103)、將上述的A溶液和B溶液混合均勻，并加入20-40體積份數的乙二醇，然后磁力攪拌15-30min，即可配制成均勻的生長溶液；

S2)、SnO₂納米片的生長，將制備好的生長溶液和干凈的ITO襯底放入高壓釜當中，在160-250℃下保溫0.5-4h；

S3)、樣品清洗，采用去離子水超聲波清洗樣品3-5次，去除殘留的試劑。

2.根據權利要求1所述的一種快速生長SnO₂納米片的方法，其特征在于：步驟S2)中，干凈的ITO襯底是采用去離子水超聲清洗5-8次，并烘干后得到。

3.根據權利要求1所述的一種快速生長SnO₂納米片的方法，其特征在于：步驟S3)中，為了提高SnO₂納米片的結晶性能，可將清洗干凈的SnO₂納米片在大氣環境中，200-280℃溫度條件下退火1-2h。