[發明專利]一種高效的Ni-S-B析氫電極及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 201811330230.9 | 申請日: | 2018-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN109537006B | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 廉冀瓊;張厚安;歐陽明亮;鄧沁鈴;古思勇 | 申請(專利權)人: | 廈門理工學院 |
| 主分類號: | C25D3/56 | 分類號: | C25D3/56;C22C19/03;C25B11/054;C25B11/091 |
| 代理公司: | 泉州市潭思專利代理事務所(普通合伙) 35221 | 代理人: | 麻艷 |
| 地址: | 361024 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效 ni 電極 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種高效的Ni-S-B析氫電極,其特征在于:包括鎳基體和沉積在所述鎳基體表面的Ni-S-B鍍層,所述Ni-S-B鍍層由以下重量百分含量的組分:Ni:64%,S:33%,B:3%。
2.根據權利要求1所述的一種高效的Ni-S-B析氫電極,其特征在于:所述的Ni-S-B鍍層的厚度為25μm。
3.一種如權利要求1所述的高效的Ni-S-B析氫電極的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)提供電鍍水溶液,所述電鍍水溶液包括以下濃度的組分:140 g/L NiSO4·6H2O,100g/L硫脲,40 g/L 硼砂,70 g/L Na3C6H5O7·2H2O,20 g/L NaCl,1.5 g/L糖精,5 g/L磺基水楊酸;
(2)以鎳基體為陰、陽極,陰、陽極間的距離為0.5 ~3.0 cm,用所述步驟(1)得到的電鍍水溶液進行電鍍,得到Ni-S-B析氫電極。
4.根據權利要求3所述的一種高效的Ni-S-B析氫電極的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中電鍍過程中,電鍍水溶液的溫度為45℃,所述電鍍的時間為60 min。
5.根據權利要求3所述的一種高效的Ni-S-B析氫電極的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中電鍍的電流密度為3A/dm2。
6.一種如權利要求1所述的高效的Ni-S-B析氫電極在氯堿工業、電化學儲氫中的應用。
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