[發明專利]一種用于外延生長系統的氣體注射裝置在審
| 申請號: | 201811328247.0 | 申請日: | 2018-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN109338464A | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 沈文杰;傅林堅;潘文博;湯承偉;董醫芳;麻鵬達;章杰峰;曹建偉 | 申請(專利權)人: | 浙江求是半導體設備有限公司;浙江晶盛機電股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B25/14 | 分類號: | C30B25/14;C30B25/16;C30B29/06 |
| 代理公司: | 杭州中成專利事務所有限公司 33212 | 代理人: | 周世駿 |
| 地址: | 312300 浙江省杭州市余杭區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應腔 氣體注射裝置 第二空腔 外延生長系統 外延層 后腔 厚度均勻性 基座上端面 連接旋轉軸 第一空腔 進氣法蘭 晶體缺陷 晶體外延 連接封板 排氣裝置 歧管構件 生長設備 水平基座 水平凸起 圓弧曲面 后法蘭 前法蘭 前空腔 上表面 襯底 封板 凸起 下端 連通 生長 | ||
1.一種用于外延生長系統的氣體注射裝置,其特征在于,包括反應腔、氣體注射裝置與排氣裝置;
所述反應腔包括前空腔和后腔,后腔內設有水平基座,基座上端面用于放置襯底,下端連接旋轉軸,旋轉軸延伸至反應腔外,并與外部的驅動裝置相連;
所述氣體注射裝置通過前法蘭設于反應腔前端;所述氣體注射裝置主體為進氣法蘭,中部設有第二空腔,第二空腔后端與反應腔連通,第二空腔前端面為1/4圓弧形狀的曲面;所述進氣法蘭頂部開有第一進氣口,第二空腔上方設有第一空腔,第一進氣口與第一空腔通過通道相連,第一空腔包括兩部分,即左側的氣體緩沖腔A和右側的氣體分配室B;第一空腔通過歧管構件連接第二空腔;氣體注射裝置前端連接封板,封板后端設有一水平凸起,凸起的上表面為圓弧曲面,形狀與第二空腔的前端形狀相適配;
所述排氣裝置通過后法蘭設于反應腔后端。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述氣體注射裝置與前法蘭相接觸的配合面間設有O型圈或其他密封件。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述排氣裝置與后法蘭相接觸的配合面間設有O型圈或其他密封件。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述岐管構件包括底板,底板水平方向上沿直線布有若干孔組,每個孔組內包括若干有一定間隔、孔徑相同的豎向通孔;位于正中位置的孔組直徑最大,兩側的孔組關于正中孔組對稱,且孔組的孔徑自中間向兩側遞減。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述岐管構件上的通孔形狀為圓形、正方形或正六邊形。
6.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,第二空腔前端圓弧曲面右端點的高度與第二空腔的下底面等高,即第二空腔前側的圓弧曲面與下底面是圓滑過渡的。
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