[發明專利]一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法

在審

• 申請號: 201811327065.1
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN111155058A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 廣州市思創信息技術有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：該制備方法包括：

步驟一，選用M2高速鋼作為基片，先對基本進行預處理；

步驟二，采用多弧離子鍍設備制備TiN涂層，靶材采用純Ti靶，先沉積Ti過渡層，再沉積TiN沉積層；

步驟三，采用多弧離子鍍設備制備CrMoN涂層，靶材采用Cr靶和Mo，調節靶電流，使得Ar靶電流大于Mo靶電流，沉積時間為60min， 再次調節靶電流，使得Ar靶電流小于Mo靶電流，沉積時間為70min。

2.根據權利要求1所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：所述預處理包括將基片在打磨機上打磨后，然后采用金剛石研磨膏進行拋光處理，再依次經丙酮和無水乙醇各超聲清洗15min。

3.根據權利要求1所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：在所述步驟二中，在沉積Ti過渡層時，偏壓為200V，高純Ar氣100ML/min，沉積時間為10min。

4.根據權利要求3所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：在所述步驟二中，在沉積TiN涂層時，包括Ar流量為80ML/min，N₂流量為120ML/min，沉積TiN涂層30min；再調節調節N₂和Ar氣的流量，使得Ar流量為40ML/min，N₂流量為160ML/min，沉積TiN30min。

5.根據權利要求4所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：在所述步驟二中，基體偏壓為-120V，溫度為450℃，工作氣壓為2.5Pa。

6.根據權利要求5所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：在所述步驟三中，先調節Cr靶電流為0.5A，改變Mo靶電流分別為0.3A，沉積時間為60min，再調節Cr靶電流為0.3A，改變Mo靶電流分別為0.5A，沉積時間為70min。

7.根據權利要求6所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：在所述步驟三中， Ar流量為80ML/min，N₂流量為150ML/min，氣壓保持在0.5Pa，基片溫度為300℃。

8.根據權利要求1所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：形成的復合涂層包括TiN涂層，TiNrN及CrN過渡層和CrMoN涂層。

9.根據權利要求1所述的一種TiN-CrMoN耐摩擦復合涂層的制備方法，其特征在于：形成的復合涂層摩擦系數為0.29，磨損率為1.53。