[發(fā)明專利]LDMOS器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811327042.0
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109545854A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 湯茂亮;夏春秋;王陽陽;劉少東
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件至少包括：

第一摻雜類型的襯底；

第二摻雜類型的漂移區(qū)，位于所述第一摻雜類型的襯底內(nèi)，所述第二摻雜類型的漂移區(qū)包括第一漂移區(qū)及位于所述第一漂移區(qū)下面的第二漂移區(qū)，其中，所述第二漂移區(qū)的寬度小于所述第一漂移區(qū)的寬度，所述第二摻雜類型與所述第一摻雜類型相反；

漏極，位于所述第一漂移區(qū)內(nèi)；

源極，位于所述第一摻雜類型的襯底內(nèi)；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述漏極及所述源極之間的所述第一摻雜類型的襯底表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第二漂移區(qū)沿所述第二摻雜類型的漂移區(qū)的寬度方向分割為間隔分布的至少兩個子第二漂移區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：相鄰所述子第二漂移區(qū)之間的間距相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：各所述子第二漂移區(qū)的寬度相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第一漂移區(qū)的摻雜深度介于25μm～65μm，所述第二漂移區(qū)的摻雜深度介于5μm～25μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第一漂移區(qū)的摻雜濃度與所述第二漂移區(qū)的摻雜濃度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第二摻雜類型的漂移區(qū)的摻雜濃度介于5*10¹³/cm³～5*10¹⁵/cm³。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件還包括：

場氧化層，部分位于所述第二摻雜類型的漂移區(qū)中，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)的柵電極覆蓋所述場氧化層的至少一部分，所述柵極結(jié)構(gòu)的柵介質(zhì)層與所述場氧化層接觸；

第一摻雜類型的體區(qū)，位于所述第一摻雜類型的襯底內(nèi)，且位于所述第二摻雜類型的漂移區(qū)遠(yuǎn)離所述漏極的一側(cè)，所述源極位于所述第一摻雜類型的體區(qū)內(nèi)。

9.一種LDMOS器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

提供第一摻雜類型的襯底；

于所述第一摻雜類型的襯底內(nèi)形成第二摻雜類型的漂移區(qū)，所述第二摻雜類型的漂移區(qū)包括第一漂移區(qū)及位于所述第一漂移區(qū)下表面的第二漂移區(qū)，其中，所述第二漂移區(qū)的寬度小于所述第一漂移區(qū)的寬度；

于所述第一摻雜類型的襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；

于所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的所述第一漂移區(qū)內(nèi)形成漏極，于所述柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)的所述第一摻雜類型的襯底內(nèi)形成源極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于：所述第二漂移區(qū)沿所述第二摻雜類型的漂移區(qū)的寬度方向分割為間隔分布的至少兩個子第二漂移區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于：形成所述第二摻雜類型的漂移區(qū)包括如下步驟：

采用離子注入工藝在所述第一摻雜類型的襯底內(nèi)注入第二摻雜類型的離子；

通過推結(jié)形成所述第一漂移區(qū)；

采用離子注入工藝在所述第一漂移區(qū)下表面的所述第一摻雜類型的襯底內(nèi)注入第二摻雜類型的離子；

通過推結(jié)形成所述第二漂移區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于：所述第一漂移區(qū)的摻雜深度介于25μm～65μm，所述第二漂移區(qū)的摻雜深度介于5μm～25μm。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LDMOS器件的制備方法，其特征在于：所述第一漂移區(qū)的摻雜濃度與所述第二漂移區(qū)的摻雜濃度相同。