[發(fā)明專利]一種通過(guò)角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811326919.4
• 申請(qǐng)日: 2018-11-08
• 公開（公告）號(hào): CN111153379A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金建;邸思;袁海
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院;廣州中國(guó)科學(xué)院先進(jìn)技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;G03F7/00
• 代理公司: 廣州容大專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44326
• 代理人: 劉新年;何雪霞

1.一種角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，制備步驟如下：

(1)微納線條結(jié)構(gòu)的制作

A、以帶有氮化硅掩膜的110晶向硅片為基底，首先對(duì)基底清洗干燥；

B、旋涂正型光刻膠于基底上，前烘以去除光刻膠中的溶劑；

C、確定110晶向硅片的晶向，采用全息法制作光刻膠的光柵圖形；

D、利用四氟化碳等離子體干法刻蝕，將光刻膠線條結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到氮化硅上；

E、利用氮化硅線條結(jié)構(gòu)作為掩模，對(duì)110晶向硅片進(jìn)行濕法腐蝕，經(jīng)過(guò)濕法腐蝕，110晶向硅片形成了硅光柵圖形及氮化硅光柵掩模結(jié)構(gòu)；最后利用四氟化碳?xì)怏w等離子體對(duì)氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕，去除多余的氮化硅，獲得線條光滑均勻的硅壓印模板；

(2)納米壓印轉(zhuǎn)移納米線條結(jié)構(gòu)

A、采用脫模劑對(duì)硅壓印模板表面改性；

B、壓印及紫外固化：將經(jīng)表面改性的硅壓印模板壓在表面具有負(fù)性光刻膠的玻璃基底上，加熱使負(fù)性光刻膠受熱軟化，加壓使得壓印模板壓入負(fù)性光刻膠，然后冷卻、紫外曝光、后烘使得負(fù)性光刻膠會(huì)發(fā)生改性固化；

C、脫模；

(3)微納通道的密封

通過(guò)一定的鍍膜角度將薄膜沉積到線條頂部形成密封。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，使用質(zhì)量百分濃度為45～55％的強(qiáng)堿溶液在溫度為70～88℃的條件下對(duì)110晶向硅片進(jìn)行濕法腐蝕。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，所述脫模劑為道康寧有機(jī)硅脫模劑DC-20與異丙醇的混合溶液，按體積比DC 20：異丙醇＝1：100～200。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，采用脫模劑改性的具體方法為，硅壓印模板清潔處理及干燥后，以2000～3000RPM的轉(zhuǎn)速旋涂脫模劑，脫模劑會(huì)在模板表面形成單分子層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，所述加壓過(guò)程為保持90℃壓印溫度及2MPa壓印100分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，所述曝光劑量為200～300mJ/cm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，在鍍膜之前，利用氧氣等離子體處理壓印后的帶負(fù)性光刻膠的玻璃基底。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的角度沉積薄膜制作尺寸可控納米通道的方法，其特征在于，所述鍍膜材料為SiO₂。