[發明專利]基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法有效
| 申請號： | 201811325924.3 | 申請日： | 2018-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN109585120B | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 支鈔;崔偉斌;唐彬;王月;屈明山;李嚴軍;李寅鑫;王支榮;劉顯學;余丙軍;袁濤;曾德群 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | H01F13/00 | 分類號： | H01F13/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蔣斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 印章 轉寫 技術 永磁體 磁化 方法 | ||
1.基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法，其特征在于步驟如下：
1）制備磁印章和待刻印體；其中，所述磁印章的永磁薄膜的居里溫度高于待刻印體的永磁薄膜的居里溫度；所述磁印章包括上層基板和位于下層的帶磁性圖案的永磁薄膜；所述待刻印體包括下層基板和位于上層的永磁薄膜；
2）將制備好的磁印章與待刻印體進行貼合，即磁印章的永磁薄膜的下表面與待刻印體的永磁薄膜的上表面進行貼合，然后進行加熱，加熱溫度升至待刻印體的永磁薄膜的居里溫度，再逐漸退火，從而將磁印章的永磁薄膜上的磁性圖案轉寫到待刻印體的永磁薄膜上。
2.根據權利要求1所述的基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法，其特征在于：所述帶磁性圖案的永磁薄膜采用釤鈷稀土永磁體。
3.根據權利要求1或2所述的基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法，其特征在于：所述上層基板采用石英基板。
4.根據權利要求3所述的基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法，其特征在于：所述磁印章采用激光熱輔助磁化技術制作，將所需要的磁性圖案寫入到磁印章的永磁薄膜中。
5.根據權利要求1所述的基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法，其特征在于：所述待刻印體的永磁薄膜選用釹鐵硼稀土永磁體。
6.根據權利要求5所述的基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法，其特征在于：所述下層基板采用任意基板均可。
7.根據權利要求1所述的基于磁印章轉寫技術的永磁體磁化方法，其特征在于：步驟2）中，所述加熱溫度大于NdFeB的居里溫度，且加熱溫度小于SmCo的居里溫度。
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