[發明專利]一種雙頻高功率微波產生器

有效

• 申請號: 201811325781.6
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109585242B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 王薈達;宋瑋;童琛琛;李小澤;譚弄潮
• 申請（專利權）人: 西北核技術研究所
• 主分類號: H01J25/61
• 分類號: H01J25/61;H01J23/04
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 汪海艷

1.一種雙頻高功率微波產生器，其特征在于：包括陰極引桿(1)、環形爆炸發射陰極(2)、軸向高功率微波產生器(4)、徑向高功率微波產生器(5)和磁體系統(3)；

所述環形爆炸發射陰極(2)為圓筒狀，包括軸向環形刀口(23)及沿圓筒狀環形爆炸發射陰極(2)外圓周周向設置的徑向環形刀口(24)；環形爆炸發射陰極(2)靠近徑向環形刀口(24)的一端固定在陰極引桿(1)上；所述軸向高功率微波產生器(4)與徑向高功率微波產生器(5)同軸設置；軸向高功率微波產生器(4)與徑向高功率微波產生器(5)分別包括第一管頭(6)與第二管頭(12)，所述第一管頭(6)與第二管頭(12)連接；

所述磁體系統(3)同軸套設在軸向高功率微波產生器(4)與徑向高功率微波產生器(5)的外圍；

所述環形爆炸發射陰極(2)位于第一管頭(6)與第二管頭(12)連接后形成的空腔內，所述軸向環形刀口(23)及徑向環形刀口(24)產生的電子束，分別沿著磁力線的方向注入到軸向高功率微波產生器(4)及徑向高功率微波產生器(5)中。

2.根據權利要求1所述的雙頻高功率微波產生器，其特征在于：所述環形爆炸發射陰極(2)包括固定部(21)及發射部(22)，所述軸向環形刀口(23)位于發射部(22)的一端，發射部(22)的另一端與固定部(21)一體設置，所述徑向環形刀口(24)位于發射部(22)的外周面且靠近固定部(21)；

所述固定部(21)與陰極引桿(1)連接。

3.根據權利要求2所述的雙頻高功率微波產生器，其特征在于：所述徑向環形刀口(24)與發射部(22)的外周面垂直或傾斜設置。

4.根據權利要求2所述的雙頻高功率微波產生器，其特征在于：所述固定部(21)外圓周面上設有螺紋。

5.根據權利要求1所述的雙頻高功率微波產生器，其特征在于：所述磁體系統(3)包括厚度相同的第一環狀磁體系統(31)及第二環狀磁體系統(32)，所述第一環狀磁體系統(31)與軸向高功率微波產生器(4)同軸套設在軸向高功率微波產生器(4)的外圍，第一環狀磁體系統(31)的一個端面位于徑向高功率微波產生器(5)的一側；所述第二環狀磁體系統(32)與徑向高功率微波產生器(5)同軸且其端面位于徑向高功率微波產生器(5)的另一側。

6.根據權利要求5所述的雙頻高功率微波產生器，其特征在于：所述第一管頭(6)的一個端面與第二管頭(12)的端面連接。

7.根據權利要求1所述的雙頻高功率微波產生器，其特征在于：所述軸向高功率微波產生器(4)與徑向高功率微波產生器(5)分別為相對論返波管和渡越時間振蕩器。

8.根據權利要求7所述的雙頻高功率微波產生器，其特征在于：軸向高功率微波產生器(4)與徑向高功率微波產生器(5)信號頻率相同或不同。