[發明專利]一種具有多位存儲功能的非易失性存儲器及其制備方法

有效

• 申請號: 201811325575.5
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109494228B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 王偉
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L27/1159
• 分類號: H01L27/1159;H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 代芳

1.一種具有多位存儲功能的非易失性存儲器，所述非易失性存儲器為底柵結構，所述非易失性存儲器依次包括襯底、柵電極、三層復合結構的鐵電柵介質層、有機半導體層和源-漏電極；所述三層復合結構的鐵電柵介質層依次包括鐵電薄膜、超薄絕緣層1和超薄絕緣層2，所述超薄絕緣層2與所述有機半導體層接觸；所述鐵電薄膜的材質包括偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物或偏氟乙烯-三氟乙烯-氯乙烯共聚物；所述鐵電薄膜的厚度為200～900nm，所述超薄絕緣層1和2的厚度獨立地為1～50nm；所述超薄絕緣層1的材質包括氧化鋁、氧化鋯、氧化硅和聚(4-乙烯基苯酚)中的一種或多種；所述超薄絕緣層2的材質包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚乙烯醇和聚乙烯吡咯烷酮中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述的襯底的材質包括玻璃、硅、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚對萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚醚砜和紙張中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述的柵電極和源-漏電極的材質獨立地包括氧化銦錫、銀、金、銅、鋁、石墨烯、碳納米管和聚(3,4-乙烯二氧噻吩)中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述的有機半導體層包括小分子有機半導體層或聚合物有機半導體層。

5.根據權利要求4所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述的小分子有機半導體層的材質包括并五苯、酞菁銅、酞菁鋅、全氟酞菁銅、碳60、6,13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯、2,7-雙辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩或2,9-二癸基萘并[2,3-b:2’,3’-F]噻吩并[3,2-b]噻吩。

6.根據權利要求4所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述的聚合物有機半導體層的材質包括聚(3-己基噻吩-2,5-二基)、{[N,N'-雙(2-辛基十二烷醇)萘-1,4,5,8-雙-(二甲酰亞胺)-2,6-二基]-5,5'-(2,2'-雙噻吩)}共聚物或聚{2,2'-[(2,5-雙(2-辛基十二烷基)-3,6-二氧代-2,3,5,6-四氫吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二基)]二噻吩-5,5'-二基-alt-噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基}。

7.根據權利要求4～6任一項所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述有機半導體層的厚度為20～100nm。

8.權利要求1～7任一項所述非易失性存儲器的制備方法，包括以下步驟：

采用氣相沉積和/或旋涂的方法，在襯底表面依次制備柵電極、鐵電薄膜、超薄絕緣層1、超薄絕緣層2、有機半導體層和源-漏電極，得到非易失性存儲器。