[發明專利]3D膜的制備方法有效
| 申請號： | 201811325384.9 | 申請日： | 2018-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN109270696B | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | 梅敏敏;張文龍;楊楓;魏厚偉;王華波;顧開宇 | 申請（專利權）人： | 寧波維真顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B30/25 | 分類號： | G02B30/25 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 高倩 |
| 地址： | 315105 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 方法 | ||
1.一種3D膜的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟一、將1/2波長相位差膜的無離型膜一側與硅膠基底貼合，然后將離型膜撕掉；
步驟二、在1/2波長相位差膜上切割，形成等寬條形圖案化結構；
步驟三、在所述圖案化結構的奇數行或偶數行的膜體上涂覆粘性涂層；
步驟四、將剝離輔助膜通過粘性涂層與1/2波長相位差膜粘貼在一起；
剝離輔助膜與1/2波長相位差膜之間粘性系數是硅膠基底與1/2波長相位差膜之間粘性系數的兩倍以上；
步驟五、借助剝離輔助膜將圖案化結構的奇數行或偶數行的膜體整體剝離下來，剝離完成形成的兩份隔行補償膜都用于與LED貼合。
2.根據權利要求1所述3D膜的制備方法，其特征在于，步驟二的切割方法選用激光切割。
3.根據權利要求2所述3D膜的制備方法，其特征在于，切割前每行寬為P+d，其中P為相位差補償膜每行的目標寬度，d為激光的燒邊寬度，切割形成的圖案化結構中奇、偶行的寬度均為P。
4.根據權利要求2所述3D膜的制備方法，其特征在于，激光切割硅膠基底的深度不超過0.06mm。
5.根據權利要求2所述3D膜的制備方法，其特征在于，最上端和最下端切割線的右端/左端較中間的切割線而言稍長，同時所有切割線的另一端則保持平齊，形成等寬條形圖案化結構，從而可以通過進一步的剝離形成僅有左端/右端與外框相連的間隔條狀結構。
6.根據權利要求1所述3D膜的制備方法，其特征在于，步驟三所述的粘性涂層采用硅膠實現。
7.根據權利要求1所述3D膜的制備方法，其特征在于，所述剝離輔助膜采用PET、PC、PVC或TAC實現。
8.根據權利要求1所述3D膜的制備方法，其特征在于，步驟三中涂覆粘性涂層時，將材料首先噴涂在目標行的中心位置，經輥壓后均勻分布，且涂覆面積為目標區域的85％～95％。
9.根據權利要求1所述3D膜的制備方法，其特征在于，步驟五剝離時的剝離角度不大于60度。
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