[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 201811325129.4
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN110739956B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 張全仁
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175;H03K19/0185
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一差異擴大元件，經配置以接收一輸入信號及一偏壓，該輸入信號具有表示一第一邏輯狀態的一第一電壓電平和代表一第二邏輯狀態的一第二電壓電平，且基于該輸入信號與該偏壓的差值，通過改變該差異擴大元件的導通程度，將該輸入信號轉換為一處理信號；以及

一接收器，經配置以從該差異擴大元件接收該處理信號，且基于該處理信號判斷該輸入信號是處于一邏輯高狀態或一邏輯低狀態。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該差異擴大元件經配置以響應于該電壓電平的一第一電壓電平操作在一第一導通狀態下，且經配置以響應于該電壓電平的一第二電壓電平操作在一第二導通狀態下，

其中該第一導通狀態的導通性低于該第二導通狀態的導通性，以及

其中該差異擴大元件更經配置以增加該第一電壓電平的一區別度，其中該第一電壓電平表示一第一邏輯狀態。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中當該第一邏輯狀態是一邏輯低狀態時，該差異擴大元件通過降低該第一電壓電平增加該第一電壓電平的該區別度，并且該差異擴大元件通過降低該第一電壓電平得到一降低第一電壓電平，其中該降低第一電壓電平做為一電壓電平，該電壓電平代表該處理信號的一邏輯低狀態。

4.如權利要求3所述的半導體元件，其中該差異擴大元件包括：

一電阻器，耦接在該接收器和一參考接地之間；以及

一P型晶體管，包括接收該輸入信號的一源極，和同時耦接到該電阻器及該接收器的一漏極。

5.如權利要求2所述的半導體元件，其中當該第一邏輯狀態是一邏輯高狀態時，該差異擴大元件通過增加該第一電壓電平增加該第一電壓電平的該區別度，并且該差異擴大元件通過增加該第一電壓電平得到一增加第一電壓電平，其中該增加第一電壓電平做為一電壓電平，該電壓電平代表該處理信號的一邏輯高狀態。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其中該差異擴大元件包括：

一電阻器，耦接在該接收器和一供應電壓之間；以及

一N型晶體管，包括接收該輸入信號的一源極，和同時耦接到該電阻器及該接收器的一漏極。

7.如權利要求6所述的半導體元件，其中該N型晶體管的該漏極直接耦接到該電阻器和該接收器。

8.一種半導體元件，包括：

一差異擴大元件，經配置以將一輸入信號轉換為一處理信號，該差異擴大元件包括：

一電阻器；以及

一電流源，經配置以：

響應于該輸入信號的一第一電壓電平向該電阻器提供一第一電流，該第一電壓電平表示該輸入信號的一邏輯狀態的一邏輯高狀態；及

響應于該輸入信號的一第二電壓電平向該電阻器提供一第二電流，該第二電壓電平表示該輸入信號的一邏輯低狀態，

其中該電流源和電阻器之間一接點的一電壓做為該處理信號，及

其中相較于基于該第一電流的電阻的一跨壓，基于該第二電流的該電阻的一跨壓能忽略不計；以及

一接收器，經配置以從該差異擴大元件接收該處理信號，且基于該處理信號判斷該輸入信號的該邏輯狀態。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中該電阻器及該電流源耦接在該輸入信號及一參考接地之間。

10.如權利要求9所述的半導體元件，其中該電阻器的一個端點的一電壓做為該處理信號，該電阻器的另一個端點的一電壓電平是該參考接地。