[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

• 申請號: 201811324411.0
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109841508A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 川渕洋介
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

在基片的表面形成有機溶劑的液膜的形成工序；和

干燥工序，其在使形成有所述液膜的所述基片的周圍的氣體密度大于空氣的氣體密度的狀態下，加熱所述基片以使所述基片干燥。

2.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

所述干燥工序中，在有機溶劑氣體氣氛下使所述基片干燥。

3.如權利要求2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述干燥工序包括在使所述基片干燥后，將所述有機溶劑氣體置換為不活潑氣體的置換工序。

4.如權利要求1～3的任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述干燥工序中，使所述基片在靜止的狀態下干燥。

5.如權利要求1～3的任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述形成工序和所述干燥工序在同一腔室內進行。

6.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

形成部，其用于在基片的表面形成有機溶劑的液膜；和

干燥部，其在使形成有所述液膜的所述基片的周圍的氣體密度大于空氣的氣體密度的狀態下，加熱所述基片以使所述基片干燥。