[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201811324375.8
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN111162007B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 孟津;薛興濤;文韜;章國偉;李兵;何智清
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;G03F7/30;G03F7/32
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于所述基底上的鈍化層，所述鈍化層的材料為正光刻膠材料，其中，所述基底包括第一區域和第二區域，所述第一區域基底內具有第一焊墊，所述第二區域基底內具有第二焊墊，且在同樣的曝光顯影條件下，所述第一焊墊上方的鈍化層的顯影速率比第二焊墊上方的鈍化層的顯影速率快；

對所述第二焊墊上方的鈍化層進行第一曝光處理；

對進行所述第一曝光處理后的鈍化層進行第一顯影處理，去除部分厚度的鈍化層，在所述第二區域的鈍化層內形成第一開口；

在形成所述第一開口之后，對所述第一焊墊上方的鈍化層進行第二曝光處理；

在進行所述第二曝光處理之后，對所述第一開口下方以及第一焊墊上方的鈍化層進行第二顯影處理，在第一時長內去除第一焊墊上方的鈍化層，在所述第一區域的鈍化層內形成第二開口，在第二時長內去除位于第一開口下方的鈍化層，在所述第二區域的鈍化層內形成第三開口，且所述第二時長與第一時長之間的時間差在工藝允許閾值內。

2.如權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，對所述第一開口下方的鈍化層進行的第二顯影處理與對所述第一焊墊上方的鈍化層進行的第二顯影處理為同時開始的。

3.如權利要求2所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二時長與第一時長之間的時間差小于或等于10s。

4.如權利要求1或3所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二時長與第一時長的時間差為零。

5.如權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，在進行所述第一曝光處理之前，所述鈍化層的厚度為初始厚度，在所述第一顯影處理工藝步驟中，去除的鈍化層的厚度為所述初始厚度的10％～50％。

6.如權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一曝光處理工藝步驟中，對位于所述第二焊墊上方的全部厚度的鈍化層進行曝光；在進行所述第二曝光處理工藝步驟中，所述第一開口下方的鈍化層被光罩遮住。

7.如權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一曝光處理工藝步驟中，對位于所述第二焊墊上方的部分厚度的鈍化層進行曝光；在進行所述第二曝光處理工藝步驟中，對所述第一開口下方的鈍化層進行曝光。

8.如權利要求6或7所述半導體器件的制造方法，其特征在于，通過控制所述第一顯影處理的顯影時間，去除部分厚度的鈍化層，形成所述第一開口。

9.如權利要求6或7所述半導體器件的制造方法，其特征在于，確定所述第一顯影處理去除的鈍化層的厚度的方法包括：

獲取在第二曝光處理工藝步驟之后，第二顯影處理對第一焊墊上方的鈍化層的顯影速率為第一顯影速率；

獲取在第二曝光處理工藝步驟之后，第二顯影處理對第二焊墊上方的鈍化層的顯影速率為第二顯影速率；

在進行所述第一曝光處理之前，所述鈍化層的厚度為初始厚度，基于所述鈍化層的初始厚度以及第二顯影速率，獲取所述第二顯影處理所需的顯影時長；

基于第一顯影速率和第二顯影速率之間的速率差以及所述顯影時長，確定所述第一顯影處理去除的鈍化層的厚度。

10.如權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一曝光處理采用第一曝光能量，所述第二曝光處理采用第二曝光能量，且所述第二曝光能量大于第一曝光能量。

11.如權利要求10所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一曝光能量為

500mj～1300mj。

12.如權利要求10所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二曝光能量為

600mj～1400mj。