[發(fā)明專(zhuān)利]一種多晶硅薄膜及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811324128.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111162000A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉昱均
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 陜西坤同半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 西安亞信智佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61241
• 代理人: 楊亞會(huì)

1.一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基底上形成非晶硅層，在所述非晶硅層上沉積形成第一氧化硅層；

去除所述第一氧化硅層表面的有機(jī)物；

去除所述非晶硅層上的第一氧化硅層；

對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行快速退火處理，以使所述非晶硅層內(nèi)部的氫含量小于3％；

進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使得所述非晶硅層形成多晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，去除所述第一氧化硅層表面的有機(jī)物是使用準(zhǔn)分子紫外光照射去除。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，去除所述非晶硅層上的第一氧化硅層是使用氫氟酸溶液去除，所述氫氟酸溶液的質(zhì)量濃度為0.5％-1％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述快速退火處理溫度為450℃-520℃，時(shí)間為5min-20min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層上沉積形成的第一氧化硅層的厚度為2nm-10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層的厚度為40nm-60nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，還包括：

在基底上形成非晶硅層之前，于該基底表面形成緩沖層，所述緩沖層包括氮化硅層和第二氧化硅層中的至少一層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為50nm-100nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述第二氧化硅層的厚度為200nm-300nm。

10.一種多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜為通過(guò)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述方法制備而成。