[發明專利]一種銪摻雜的g-C3N4基半導體材料及其制備方法在審
| 申請號： | 201811323925.4 | 申請日： | 2018-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN109337679A | 公開（公告）日： | 2019-02-15 |
| 發明（設計）人： | 榮銘聰;鄧湘舟 | 申請（專利權）人： | 廣州大學 |
| 主分類號： | C09K11/65 | 分類號： | C09K11/65 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 顏希文;宋靜娜 |
| 地址： | 510000 廣東省廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體材料 銪摻雜 制備 混合液 前驅體 惰性氣體保護 水溶性無機鹽 三聚氰酸 超純水 二氨基 亮藍色 烘干 熒光 苯基 紅移 三嗪 煅燒 摻雜 | ||
1.一種銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將銪的水溶性無機鹽、三聚氰酸、2,4-二氨基-6-苯基-1,3,5-三嗪和超純水混合，攪拌均勻，得到混合液；
(2)將混合液烘干，得到白色固體前驅體；
(3)將白色固體前驅體在惰性氣體保護下，在450℃～550℃煅燒2～4h，自然冷卻，得到所述銪摻雜的g-C3N4基半導體材料，其中所述g-C3N4基半導體材料中Eu含量為0～10wt％且不包括0wt％。
2.根據權利要求1所述的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，銪的水溶性無機鹽、三聚氰酸和2,4-二氨基-6-苯基-1,3,5-三嗪的摩爾比為0.1～1:3:27。
3.根據權利要求1所述的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，所述銪的水溶性無機鹽包括硝酸銪和氯化銪。
4.根據權利要求1所述的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，所述超純水的用量以浸沒銪的水溶性無機鹽、三聚氰酸和2,4-二氨基-6-苯基-1,3,5-三嗪為準，所述超純水的用量為15～40mL。
5.根據權利要求1所述的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，采用磁力攪拌法、機械攪拌法或振蕩法使銪的水溶性無機鹽、三聚氰酸、2,4-二氨基-6-苯基-1,3,5-三嗪和超純水混合均勻，攪拌時間為24h。
6.根據權利要求1所述的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，烘干的溫度為50℃～100℃。
7.根據權利要求1所述的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氮氣或氬氣。
8.根據權利要求1～8任一項所述的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料的制備方法，其特征在于，所述g-C3N4基半導體材料中Eu含量為1～10wt％。
9.根據權利要求1～8任一項所述的方法制備得到的銪摻雜的g-C3N4基半導體材料。
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