[發明專利]用于閃存存儲器裝置的混合電荷泵以及調節手段和方法有效
| 申請號： | 201811323753.0 | 申請日： | 2014-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN109584914B | 公開（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發明（設計）人： | H.V.特蘭;A.利;T.伍;H.Q.阮 | 申請（專利權）人： | 硅存儲技術公司 |
| 主分類號： | G11C5/14 | 分類號： | G11C5/14;G11C16/30;H02M3/07 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞華梁;申屠偉進 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 閃存 存儲器 裝置 混合 電荷 以及 調節 手段 方法 | ||
1.一種用于閃存存儲器裝置的混合電荷泵控制電路，包括：
第一輸入，用于提供正輸入電壓；
第二輸入，用于提供負輸入電壓；
第一組PMOS晶體管，用于使所述第一輸入的電壓逐步降低等于所述第一組PMOS晶體管的閾值電壓總和的量以生成逐步降低的電壓；
第二組PMOS晶體管，用于使所述第二輸入的電壓逐步升高等于所述第二組PMOS晶體管的閾值電壓總和的量以生成逐步升高的電壓；
第一基準電壓；
第二基準電壓；
比較器；
第一開關，用于選擇性地將所述逐步降低的電壓耦合到所述比較器；
第二開關，用于選擇性地將所述逐步升高的電壓耦合到所述比較器；
第三開關，用于選擇性地將所述第一基準電壓耦合到所述比較器；
第四開關，用于選擇性地將所述第二基準電壓耦合到所述比較器；
其中所述比較器在所述第一開關與所述第三開關打開且所述第二開關與所述第四開關關閉時比較所述第一基準電壓和所述逐步降低的電壓，并在所述第一開關與所述第三開關關閉且所述第二開關與所述第四開關打開時比較所述第二基準電壓與所述逐步升高的電壓，以生成用于控制電荷泵的輸出。
2.一種反向器電路，包括：
第一電容器，包括第一端子和第二端子；
第二電容器，包括耦合到接地點的第一端子和第二端子；
第一PMOS晶體管，所述第一PMOS晶體管包括接收正電壓輸入的第一端子以及連接到所述第一電容器的所述第一端子的第二端子；
第二PMOS晶體管，所述第二PMOS晶體管包括柵極、連接到所述第一電容器的所述第二端子的第一端子、以及連接到接地點的第二端子；
第三PMOS晶體管，包括柵極、耦合到所述第二PMOS晶體管的所述第二端子的第一端子、以及耦合到接地點并耦合到所述第二PMOS晶體管的所述柵極以及耦合到所述第三PMOS晶體管的所述柵極的第二端子；
第四PMOS晶體管，包括柵極、用于提供量值等于正電壓輸入的負電壓輸出并耦合到所述第二電容器的所述第一端子的第一端子、以及第二端子；和
第五PMOS晶體管，包括柵極、耦合到所述第四PMOS晶體管的所述第一端子的第一端子、以及第二端子，其耦合到所述第四PMOS晶體管的柵極、所述第五PMOS晶體管的柵極、所述第一電容器的第二端子，以及所述第二PMOS晶體管的第一端子。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于硅存儲技術公司，未經硅存儲技術公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811323753.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
