[發明專利]存儲設備及其操作方法，控制存儲設備的主機設備

在審

• 申請號: 201811323502.2
• 申請日: 2018-11-08
• 公開（公告）號: CN109840050A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 曹明鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

一種存儲設備，包括：第一物理空間，包括第一非易失性存儲器設備；第二物理空間，包括與第一非易失性存儲器設備物理上隔離的第二非易失性存儲器設備；以及存儲控制器，用于從外部設備獲取命令并基于所獲取的命令中包括的信息在第一和第二物理空間中的任何一個中執行與命令相對應的操作。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年11月24日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2017-0158419號的優先權，其內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明構思在本文中涉及半導體存儲器，更具體地，涉及存儲設備、控制存儲設備的主機設備、以及存儲設備的操作方法。

背景技術

半導體存儲器設備可以被分為易失性存儲器設備和非易失性存儲器設備。諸如靜態隨機存取存儲器(static random access memory，SRAM)、動態RAM(dynamic RAM，DRAM)、同步DRAM(synchronous DRAM，SDRAM)等的易失性存儲器設備在斷電時丟失存儲在其中的數據。諸如只讀存儲器(read only memory，ROM)、可編程ROM(programmable ROM，PROM)、電可編程ROM(electrically programmable ROM，EPROM)、電可擦除和可編程ROM(electrically erasable and programmable ROM，EEPROM)、閃速存儲器設備、相變RAM(phase-change RAM，PRAM)、磁RAM(magnetic RAM，MRAM)、電阻式RAM(resistive RAM，RRAM)、鐵電RAM(ferroelectric RAM，FRAM)等的非易失性存儲器設備在斷電時保持存儲在其中的數據。

基于閃速存儲器的大容量存儲介質使用高速接口與外部設備通信。通常，外部設備管理存儲介質的存儲區域作為邏輯區域。在這種情況下，在存儲介質內管理實際執行輸入/輸出的物理區域。也就是說，由于在外部設備中管理的邏輯區域和在存儲介質內管理的物理區域彼此不同，因此可能需要用于映射邏輯區域和物理區域的各種方法。此外，該差異可能會導致性能下降。

發明內容

本發明構思的實施例提供了一種提供穩定性能或改進性能的存儲設備、控制存儲設備的主機設備、以及存儲設備的操作方法。

本發明構思的實施例提供了一種存儲設備，包括：第一物理空間，包括第一非易失性存儲器設備；第二物理空間，包括與第一非易失性存儲器設備物理上隔離的第二非易失性存儲器設備；存儲控制器，其從外部設備獲取命令，并基于所獲取的命令中包括的信息，在第一和第二物理空間中的一個中執行與所獲取的命令相對應的操作。

本發明構思的實施例還提供了一種存儲設備的操作方法，包括：由存儲設備從外部設備獲取命令；基于命令中的信息，由存儲設備從存儲設備的多個物理空間當中選擇物理空間，多個物理空間彼此物理上隔離并由外部設備識別；存儲設備在所選擇的物理空間中執行與命令相對應的操作；并且由存儲設備將與命令相對應的操作的完成信息發送給外部設備。

本發明構思的實施例還提供了一種主機設備，包括驅動第一進程的第一核；驅動第二進程的第二核；主機緩沖存儲器，包括第一提交隊列和第二提交隊列，第一提交隊列被映射到外部存儲設備的第一物理空間，并將由第一核生成的第一命令進行排隊，并且第二提交隊列被映射到與第一物理空間物理上隔離的外部存儲設備的第二物理空間上，并將由第二核生成的第二命令進行排隊；以及向外部存儲設備提供第一和第二命令的主機驅動器。