[發明專利]用分子反應性清掃氣體改善DC偏置的缺陷控制和穩定性

有效

• 申請號: 201811319771.1
• 申請日: 2015-06-10
• 公開（公告）號: CN110098100B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 愛德華·奧古斯蒂尼克;克里斯托弗·詹姆斯·拉薩亞;辛格爾·N·阿希爾;卡里姆·布馬塔爾;阿魯爾·迪哈斯
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/505
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種在襯底處理系統中處理襯底的方法，包括：

選擇性地將前體氣體、一或多種沉積載氣和后沉積清掃氣體中的至少一種輸送到處理室；

在輸送所述前體氣體和所述一或多種沉積載氣時，通過在所述處理室內在上電極和下電極之間產生射頻等離子體而在所述襯底上沉積膜；

選擇性地提供直流偏置電壓到所述上電極和所述下電極中的一個；

在將所述直流偏置電壓的至少一部分提供到所述上電極和所述下電極中的所述一個時輸送所述后沉積清掃氣體，

其中，所述后沉積清掃氣體包括分子反應氣體并且不包括惰性氣體。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述后沉積清掃氣體選自所述一或多種沉積載氣。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在從0.2乇到6乇的處理壓強下，所述后沉積清掃氣體比氦和氬具有較高的擊穿電壓。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述直流偏置電壓的開始初始化所述射頻等離子體熄滅前的第一預定時間段或所述射頻等離子體熄滅后的第二預定時間段。

5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述直流偏置電壓產生時將所述襯底換位。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述射頻等離子體熄滅之前產生所述直流偏置電壓并且在隨后的射頻等離子體被激勵之前結束所述直流偏置電壓。

7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括連續地產生所述直流偏置電壓，但不包括在所述射頻等離子體被激勵時的時間段。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述膜選自由無氮抗反射膜、非晶硅、可灰化硬掩模、氮化硅、二氧化硅和碳氧化硅組成的組。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述一或多種沉積載氣選自由二氧化碳、氦、氫分子、氮分子、氨和一氧化二氮組成的組。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述后沉積清掃氣體選自由二氧化碳、氫分子和氮分子組成的組。