[發(fā)明專利]探測電路及其驅(qū)動方法、基板、探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811317887.1 | 申請日： | 2018-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN109470283B | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 華剛;薛艷娜;張勇;白璐;方浩博;林堅;張麗敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G01D5/26 | 分類號： | G01D5/26 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 張靜堯 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 探測 電路 及其 驅(qū)動 方法 基板 探測器 | ||
1.一種探測電路，其特征在于，包括：輸出控制子電路、第一存儲子電路、光電感應單元、以及輔助存儲子電路；
所述光電感應單元，耦接第一電壓端和輸出點，用于將接收到的光信號轉(zhuǎn)換成電信號，并將所述電信號傳輸至所述輸出點；
所述第一存儲子電路，耦接所述輸出點和第二電壓端，用于對所述電信號進行存儲；
所述輔助存儲子電路，耦接所述輸出點、第三電壓端以及第一控制信號端，用于在所述第一控制信號端的控制下，對所述電信號進行存儲；
所述輔助存儲子電路包括多個并聯(lián)的第二存儲子電路，每個所述第二存儲子電路耦接所述輸出點、所述第三電壓端以及所述第一控制信號端，用于在所述第一控制信號端的控制下，對所述電信號進行存儲；
所述輸出控制子電路，耦接數(shù)據(jù)讀取端、第二控制信號端以及所述輸出點，用于在所述第二控制信號端的控制下，將所述輸出點的電信號傳輸至所述數(shù)據(jù)讀取端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測電路，其特征在于，多個所述第二存儲子電路中的至少一個包括多級串聯(lián)的子存儲電路；
第一級所述子存儲電路，耦接所述輸出點、所述第三電壓端以及所述第一控制信號端，用于在所述第一控制信號端的控制下，對所述電信號進行存儲；
第一級以后的每級所述子存儲電路，耦接前一級所述子存儲電路、所述第三電壓端以及所述第一控制信號端，用于在所述第一控制信號端的控制下，對所述電信號進行存儲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項所述的探測電路，其特征在于，所述探測電路包括多個所述第一控制信號端，多個所述第二存儲子電路中的至少兩個連接不同的所述第一控制信號端；在所述第二存儲子電路包括多級串聯(lián)的子存儲電路的情況下，多個所述子存儲電路中的至少兩個連接不同的所述第一控制信號端；
和/或，
所述探測電路包括多個第三電壓端，多個所述第二存儲子電路中的至少兩個連接不同的所述第三電壓端，在所述第二存儲子電路包括多級串聯(lián)的子存儲電路的情況下，多個所述子存儲電路中的至少兩個連接不同的所述第三電壓端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項所述的探測電路，其特征在于，所述第一存儲子電路的最大存儲電荷量和所述輔助存儲子電路的最大存儲電荷量不同；
和/或，
所述多個所述第二存儲子電路的最大存儲電荷量不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測電路，其特征在于，所述輔助存儲子電路包括第一晶體管和第一電容；所述第一晶體管的柵極耦接所述第一控制信號端，所述第一晶體管的第一極耦接所述輸出點，所述第一晶體管的第二極耦接所述第一電容的第一端；所述第一電容的第二端耦接所述第三電壓端；
所述輸出控制子電路包括第二晶體管，所述第二晶體管的柵極耦接所述第二控制信號端，所述第二晶體管的第一極耦接所述數(shù)據(jù)讀取端，所述第二晶體管的第二極耦接所述輸出點；
所述第一存儲子電路包括第二電容，所述第二電容的第一端耦接所述輸出點，所述第二電容的第二端耦接所述第二電壓端；
所述光電感應單元包括光電二極管，所述光電二極管的一極連接所述第一電壓端，另一極連接所述輸出點。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測電路，其特征在于，所述第二存儲子電路包括第三晶體管和第三電容；
所述第三晶體管的柵極連接所述第一控制信號端，所述第三晶體管的第一極連接所述輸出點，所述第三晶體管的第二極連接所述第三電容的第一端；
所述第三電容的第二端連接所述第三電壓端。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的探測電路，其特征在于，所述子存儲電路包括第四晶體管和第四電容；
第一級所述子存儲電路的所述第四晶體管的柵極連接所述第一控制信號端，所述第四晶體管的第一極連接所述輸出點，所述第四晶體管的第二極連接所述第四電容的第一端；所述第四電容的第二端連接所述第三電壓端；
第一級以后的每級所述子存儲電路的所述第四晶體管連接所述第一控制信號端，所述第四晶體管的第一極連接前一級所述子存儲電路的第四晶體管的第二極，所述第四晶體管的第二極連接所述第四電容的第一端；所述第四電容的第二端連接所述第三電壓端。
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