[發明專利]層疊陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201811317022.5
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN109755020B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 新井紀宏;野﨑剛;石井真澄;有我穰二;茂木宏之;小澤學
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;周琴

1.一種層疊陶瓷電容器，其包含：

陶瓷層疊結構，其設計成具有交替層疊的陶瓷電介質層和內部電極層，所述內部電極層的主要成分為鐵族以外的過渡金屬，所述內部電極層的端緣交替地露出至所述陶瓷層疊結構的第一端面和第二端面；和

至少一對外部電極，其設置在所述陶瓷層疊結構的所述第一端面和所述第二端面上，

其中：

所述外部電極具有基底導電層和覆蓋所述基底導電層的第一鍍層；

所述基底導電層包括不與所述陶瓷層疊結構接觸的第二相的第一部分和與所述陶瓷層疊結構直接接觸的第二相的第二部分；

所述基底導電層的主要成分是貴金屬或鐵族以外的過渡金屬；并且

在所述基底導電層中，不與所述陶瓷層疊結構接觸的第二相的所述第一部分中的Si和B的總濃度為0.3wt％以下，且

不與所述陶瓷層疊結構接觸的第二相的所述第一部分包括Si和B中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其中，所述基底導電層的所述第二相包含作為所述陶瓷電介質層主要成分的陶瓷。

3.根據權利要求2所述的層疊陶瓷電容器，其中，所述第二相中所包含的陶瓷的主要成分是CaZrO₃。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的層疊陶瓷電容器，其中，所述陶瓷電介質層的主要成分是CaZrO₃。

5.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其還包含：

覆蓋所述第一鍍層的第二鍍層，

其中所述第二鍍層的主要成分是與作為所述第一鍍層主要成分的過渡金屬不同的過渡金屬。

6.根據權利要求5所述的層疊陶瓷電容器，其中：

所述基底導電層的主要成分是Cu；

所述第一鍍層的主要成分是Cu；且

所述第二鍍層的主要成分是Sn。