[發(fā)明專利]薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811316563.6
• 申請(qǐng)日: 2018-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN109768022A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳進(jìn)勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞鼎科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/522
• 代理公司: 中國(guó)商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 11234
• 代理人: 宋義興;張立晶

一種薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，用以封裝晶片。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)包含可撓性基板、導(dǎo)電層、電鍍層及防焊層。導(dǎo)電層形成于可撓性基板上。電鍍層形成于導(dǎo)電層上且具有一開口區(qū)。防焊層形成于電鍍層上并通過開口區(qū)與導(dǎo)電層相連。防焊層為單層結(jié)構(gòu)。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)定義有彎折區(qū)。彎折區(qū)涵蓋于開口區(qū)內(nèi)且彎折區(qū)小于或等于開口區(qū)。當(dāng)薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的彎折區(qū)進(jìn)行彎折時(shí)，彎折區(qū)內(nèi)無任何電鍍層存在，致使彎折區(qū)的耐彎折特性獲得提升。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明與晶片封裝有關(guān)，尤其是關(guān)于一種薄膜覆晶(Chip on film,COF)封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為傳統(tǒng)的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖1所示，于傳統(tǒng)的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)1中，對(duì)應(yīng)于彎折區(qū)BA的迭層結(jié)構(gòu)由下往上依序是可撓性基板10、導(dǎo)電層12、電鍍層14及防焊層16。

然而，當(dāng)傳統(tǒng)的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)1的彎折區(qū)BA進(jìn)行彎折時(shí)，由于可撓性基板10具有一定的厚度，再加上導(dǎo)電層12上鍍有電鍍層14，均會(huì)造成傳統(tǒng)的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)1的彎折區(qū)BA的耐彎折特性不夠理想，仍有相當(dāng)大的改善空間。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提出一種薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，以有效解決背景技術(shù)所遭遇到的上述種種問題。

根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例為一種薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)。于此實(shí)施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)用以封裝晶片。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)包含可撓性基板、導(dǎo)電層、電鍍層及防焊層。導(dǎo)電層形成于可撓性基板的第一面上。電鍍層形成于導(dǎo)電層上且具有一開口區(qū)。防焊層形成于電鍍層上并通過開口區(qū)與導(dǎo)電層相連。防焊層為單層結(jié)構(gòu)。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)定義有一彎折區(qū)。彎折區(qū)涵蓋于開口區(qū)內(nèi)且彎折區(qū)小于或等于開口區(qū)。當(dāng)薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的彎折區(qū)進(jìn)行彎折時(shí)，彎折區(qū)內(nèi)無任何電鍍層存在，致使彎折區(qū)的耐彎折特性獲得提升。

于一實(shí)施例中，可撓性基板由聚亞酰胺(polyimide,PI)或其他可撓性材料構(gòu)成。

于一實(shí)施例中，導(dǎo)電層由銅(Copper)或其他導(dǎo)電材料構(gòu)成。

于一實(shí)施例中，電鍍層由錫(Tin)或其他電鍍材料構(gòu)成。

于一實(shí)施例中，可撓性基板具有一第一厚度，位于彎折區(qū)內(nèi)的可撓性基板形成有一應(yīng)力釋放部，至少一部分的應(yīng)力釋放部具有一第二厚度，且第二厚度小于第一厚度，致使彎折區(qū)的耐彎折特性獲得提升。

于一實(shí)施例中，應(yīng)力釋放部形成于可撓性基板的第二面上，且第二面與第一面彼此相對(duì)。

于一實(shí)施例中，應(yīng)力釋放部通過鐳射切斷或濕式蝕刻的方式形成。

于一實(shí)施例中，位于彎折區(qū)內(nèi)的導(dǎo)電層所形成的線路包含至少一非直線圖樣。

于一實(shí)施例中，該至少一非直線圖樣為蛇形圖樣或鉆石形圖樣。

根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例為一種薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)。于此實(shí)施例中，薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)用以封裝晶片。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)包含可撓性基板、導(dǎo)電層、電鍍層及防焊層。可撓性基板具有第一厚度。導(dǎo)電層形成于可撓性基板的第一面上。電鍍層形成于導(dǎo)電層上。防焊層形成于電鍍層上。薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)定義有一彎折區(qū)。位于彎折區(qū)內(nèi)的可撓性基板形成有一應(yīng)力釋放部，至少一部分的應(yīng)力釋放部具有一第二厚度，且第二厚度小于第一厚度，致使彎折區(qū)的耐彎折特性獲得提升。

相較于背景技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)針對(duì)其彎折區(qū)內(nèi)的迭層結(jié)構(gòu)進(jìn)行改善，使得彎折區(qū)內(nèi)無任何電鍍層存在及/或彎折區(qū)內(nèi)至少一部分的可撓性基板的厚度變薄，均可有效提升薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的彎折區(qū)的耐彎折特性。此外，位于彎折區(qū)內(nèi)的導(dǎo)電層所形成的線路包含非直線圖樣，亦可增加彎折區(qū)的耐彎折性。

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及附圖得到進(jìn)一步的了解。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。