[發明專利]一種低溫柔性全無機QLED器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201811316015.3
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN109449317A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 李福山;劉洋;胡海龍;朱陽斌;孫凱;郭太良
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊;林文弘

1.一種低溫柔性全無機QLED器件的制備方法，其特征在于：所述QLED器件的制備方法包括如下步驟：

步驟1：在柔性基板上沉積陽極層；

步驟2：配制功能層材料的墨水；

步驟3：在基板上依次沉積界面修飾層A、空穴傳輸層、界面修飾層B、量子點發光層和電子傳輸層；

步驟4：沉積陰極，并封裝器件；

或者，所述QLED器件的制備方法包括如下步驟：

步驟S1：在柔性基板上沉積陰極層；

步驟S2：配制功能層材料的墨水；

步驟S3：在基板上依次沉積電子傳輸層、量子點發光層、界面修飾層B、空穴傳輸層、界面修飾層A；

步驟S4：沉積陽極，并封裝器件；

所述空穴傳輸層的材料為CuSCN，用溶劑二乙基硫醚將CuSCN配置成10-50 mg/ml的溶液，然后旋涂沉積得到CuSCN薄膜，薄膜厚度為10-200nm；CuSCN成膜后在室溫至150℃之間進行低溫退火處理，或者無需退火。

2.根據權利要求1所述的一種低溫柔性全無機QLED器件的制備方法，其特征在于：所述的柔性基板包括PET、PS、PVA、PCB、微納米級厚度的云母片、玻璃、金屬中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種低溫柔性全無機QLED器件的制備方法，其特征在于：所述的界面修飾層A為無機材料，包括氧化鉬、氧化鋁、氮化硅、還原的氧化石墨烯中的一種；界面修飾層A的厚度在0.5-20 nm。

4.根據權利要求1所述的一種低溫柔性全無機QLED器件的制備方法，其特征在于：所述的界面修飾層B為無機材料，包括氧化鋁、氮化硅中的一種；界面修飾層B的厚度在0.5-20nm。

5.根據權利要求1所述的一種低溫柔性全無機QLED器件的制備方法，其特征在于：量子點發光層的材料為核殼量子點或者無機鈣鈦礦量子點，其中，核殼量子點包括CdS、CdTe、CdSe、ZnSe、ZnTe、PbS、PbSe、InP、CuInS核殼量子點；無機鈣鈦礦量子點包括ABX₃、A₂B₂X₆ 或A₃B₃X₉結構體系，其中元素A為無機金屬元素銫或銣，元素B為鉛、錫、銻、碲或錳，鹵素X為F、Cl、Br或I。

6.根據權利要求5所述的一種低溫柔性全無機QLED器件的制備方法，其特征在于：所述的電子傳輸層為Zn_xMg_1-xO 納米顆粒，0≤x≤1；且對于無機鈣鈦礦量子點器件，Zn_xMg_1-xO 分散于氯苯，甲苯以及氯仿溶劑：對于核殼量子點器件，Zn_xMg_1-xO 溶于乙醇溶劑。

7.如權利要求1-6任一所述的制備方法制得的低溫柔性全無機QLED器件。