[發明專利]一種應用于LDO的快速瞬態響應電路

在審

• 申請號: 201811313150.2
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109116905A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 方建平;李紅艷;張適
• 申請（專利權）人: 西安拓爾微電子有限責任公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 金鳳

本發明提供了一種應用于LDO的快速瞬態響應電路，采用無片外大電容的LDO電路，通過改進LDO的內部電路，能夠做到增強LDO的快速瞬態響應能力并且不減弱電路其它性能。本發明將EA的尾電流分兩部分，一部分采用固定電流偏置，一部分采用來自輸出負載采樣的電流。在電路中可以做到既不會增加芯片的靜態電流，又能在負載突然增大時，環路的帶寬和壓擺率增加，環路的響應速度也隨之增加。

技術領域

本發明涉及集成電路領域，尤其是一種LDO電路。

背景技術

隨著集成電路工藝的快速發展，生活中相關的電子產品也應用的越來越多，對于相關集成電路芯片的性能要求也變得更高。低壓差線性穩壓器(LDO)由于具有低壓差、低噪聲和低功耗等一系列特點在集成電路尤其是低功耗電路中廣泛應用。

雖然現階段在相關電路設計中LDO有很多的優點，但瞬態響應問題一直是相關設計領域的難題。LDO芯片在正常電壓下工作時，外接負載的電流經常出現變化，LDO電路如果對負載的瞬態響應不及時，LDO電路的輸出電壓會出現較大的波動，會影響芯片的正常工作。目前電路一般采用外接大的片外電容的方法進行提升電路輸出端的瞬態響應，但由于片外電容只能焊接到芯片之外，降低了芯片的集成度，并且增加了電路上產生的寄生電路，嚴重影響電路的穩定性。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明提供一種應用于LDO的快速瞬態響應電路，來提高無外接電容LDO的瞬態響應能力。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

所述應用于LDO的快速瞬態響應電路，包括P溝道增強型MOS管MP1-MP9，N溝道增強型MOS管MN1-MN3，分壓電阻R1和R2，外部固定偏置電路模塊以及負載采樣電路模塊，還包括Vcc端口、VREF端口、Vb端口和Vout端口，所述Vcc端口與電源輸入端連接，所述VREF與基準電壓端連接，所述Vb端口與外接偏置連接，所述Vout端口為整體電路輸出端口。

所述P溝道增強型MOS管MP1源極端連接電源Vcc端，柵極漏極接外部固定電路模塊和P溝道增強型MOS管MP2的柵極；所述P溝道增強型MOS管MP2源極連接電源Vcc端，P溝道增強型MOS管MP2的柵極連接P溝道增強型MOS管MP1的柵極漏極和外部固定電路模塊，P溝道增強型MOS管MP2的漏極連接P溝道增強型MOS管MP3的漏極和P溝道增強型MOS管MP5、MP6的源極，P溝道增強型MOS管MP1和MP2共同構成一個電流鏡電路模塊，負責鏡像外部固定偏置電路提供的電流。

所述P溝道增強型MOS管MP3源極連接所述電源Vcc端，P溝道增強型MOS管MP3的柵極連接P溝道增強型MOS管MP4的柵極漏極和負載采樣電路模塊的輸出端，P溝道增強型MOS管MP3漏極連接P溝道增強型MOS管MP2的漏極和P溝道增強型MOS管MP5、MP6的源極；

所述P溝道增強型MOS管MP4源極連接電源Vcc端，P溝道增強型MOS管MP4的柵極漏極連接P溝道增強型MOS管MP3的柵極和負載采樣電路模塊的輸出端，所述P溝道增強型MOS管MP3和MP4共同構成另一個電流鏡電路模塊，負責鏡像負載采樣電路模塊提供的電流。

所述P溝道增強型MOS管MP5源極連接P溝道增強型MOS管MP2和MP3的漏極以及P溝道增強型MOS管MP6的源極，P溝道增強型MOS管MP5的柵極連接基準電壓VREF端口，P溝道增強型MOS管MP5的漏極連接N溝道增強型MOS管MN1的漏極柵極和MN2的柵極；

所述P溝道增強型MOS管MP6源極連接P溝道增強型MOS管MP2、MP3的漏極以及P溝道增強型MOS管MP5的源極，P溝道增強型MOS管MP6柵極連接在分壓電阻R1和R2之間，P溝道增強型MOS管MP6的漏極連接P溝道增強型MOS管MP7的柵極和N溝道增強型MOS管MN2的漏極。