[發(fā)明專利]以多種半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)施的多級(jí)功率放大器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811312983.7
• 申請(qǐng)日: 2018-11-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109756200A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·斯科魯茲;E·克拉瓦克;吳宇庭;楊志宏;J·瓊斯;M·博卡蒂斯;R·尤斯科拉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩智浦美國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/193
• 分類號(hào): H03F3/193;H03F3/21;H03F3/68
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種多級(jí)放大器，其特征在于，包括：

第一管芯，其包括III-V半導(dǎo)體基板、第一射頻(RF)信號(hào)輸入端、第一RF信號(hào)輸出端和第一晶體管，其中所述第一晶體管具有電耦合到所述第一RF信號(hào)輸入端的控制端，和電耦合到所述第一RF信號(hào)輸出端的電流承載端；

第二管芯，其包括第二類型的半導(dǎo)體基板、第二RF信號(hào)輸入端、第二RF信號(hào)輸出端、第一次級(jí)電路，以及所述第二RF信號(hào)輸入端和所述第二RF信號(hào)輸出端之間的放大路徑，其中所述放大路徑包括具有控制端和電流承載端的第二晶體管，所述第二晶體管的所述控制端電耦合到所述第二RF信號(hào)輸入端，且所述第二晶體管的所述電流承載端電耦合到所述第二RF信號(hào)輸出端，且其中所述第一次級(jí)電路電耦合到所述第一晶體管的所述控制端，且所述第一次級(jí)電路是選自末級(jí)偏壓電路和末級(jí)諧波控制電路；以及

第一連接，其電耦合于所述第二RF信號(hào)輸出端和所述第一RF信號(hào)輸入端之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于：

所述第二管芯進(jìn)一步包括被配置成電耦合到外部偏壓電壓源的第一次級(jí)電路端，且

所述第一次級(jí)電路是所述末級(jí)偏壓電路，其電耦合于所述第一次級(jí)電路端和所述第二RF信號(hào)輸出端之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于：

所述第二管芯進(jìn)一步包括第一次級(jí)電路端，

所述放大器進(jìn)一步包括電耦合于所述第一次級(jí)電路端和所述第一晶體管之間的第二連接，且

所述第一次級(jí)電路是所述末級(jí)諧波控制電路，其電耦合于所述第一次級(jí)電路端和接地節(jié)點(diǎn)之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第二管芯進(jìn)一步包括：

級(jí)間阻抗匹配電路的集成部分，其電耦合于所述第二晶體管的所述電流承載端和所述第二RF信號(hào)輸出端之間，其中所述第一連接是所述級(jí)間阻抗匹配電路的非集成部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一管芯包括GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，且所述第二晶體管包括硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一管芯包括GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，且所述第二晶體管包括硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)級(jí)聯(lián)堆疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

無(wú)引線半導(dǎo)體裝置封裝，其包括導(dǎo)電基板、第一焊盤和第二焊盤，其中所述第一和第二管芯連接到所述導(dǎo)電基板；

第二連接，其電耦合于所述第一焊盤和所述第二RF輸入端之間；以及

第三連接，其電耦合于所述第一RF輸出端和所述第二焊盤之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

印刷電路板，所述第一和第二管芯耦合到所述印刷電路板，其中所述印刷電路板包括第一端和第二端；

第二連接，其電耦合于所述第一端和所述第二RF輸入端之間；以及

第三連接，其電耦合于所述第一RF輸出端和所述第二端之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器，其特征在于：

所述放大器是包括主放大器和峰值放大器的多爾蒂功率放大器，且

所述主放大器包括所述第一和第二管芯，其中所述第二管芯的所述第二RF信號(hào)輸入端對(duì)應(yīng)于主放大器輸入，且所述第一管芯的所述第一RF信號(hào)輸出端對(duì)應(yīng)于主放大器輸出。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的放大器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

所述峰值放大器，其包括峰值放大器輸入和峰值放大器輸出；

基板，所述主放大器和峰值放大器耦合到所述基板；以及

相移元件，其電耦合于所述第一管芯的所述第一RF信號(hào)輸出端和所述峰值放大器輸出之間。