[發明專利]一種中子源靶核心結構

在審

• 申請號: 201811312696.6
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN109637690A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 錢鐵威
• 申請（專利權）人: 錢鐵威
• 主分類號: G21G4/02
• 分類號: G21G4/02
• 代理公司: 北京市領專知識產權代理有限公司 11590
• 代理人: 林輝輪

1.一種中子源靶核心結構，它包括冷卻法蘭，其特征在于：所述的冷卻法蘭右端面的中心位置設置有凹槽，所述的冷卻法蘭上凹槽的側面上靠近其頂端和底端的位置分別連接有進水管道和出水管道，所述的冷卻法蘭的端面上凹槽的周圍設置有螺栓孔A，所述的冷卻法蘭的右端面上固定有靶法蘭，所述的靶法蘭的右端面的中心位置設置有鈹靶安裝槽，所述的靶法蘭上鈹靶安裝槽的周圍與螺栓孔A相對應的位置設置有螺栓孔B，所述的鈹靶安裝槽內設置有鈹靶。

2.根據權利要求1所述的一種中子源靶核心結構，其特征在于：所述的鈹靶通過焊接方式固定在靶法蘭右端面的鈹靶安裝槽內。

3.根據權利要求1所述的一種中子源靶核心結構，其特征在于：所述的靶法蘭與冷卻法蘭之間通過焊接的方式進行密封固定連接。

4.根據權利要求1所述的一種中子源靶核心結構，其特征在于：所述的鈹靶采用與鈹靶安裝槽形狀相同的圓形薄片狀結構。

5.根據權利要求1所述的一種中子源靶核心結構，其特征在于：所述的凹槽為直徑不小于鈹靶直徑的圓柱狀結構。

6.根據權利要求1所述的一種中子源靶核心結構，其特征在于：所述的靶法蘭與冷卻法蘭為直徑大小相同的圓柱狀結構。

7.根據權利要求1所述的一種中子源靶核心結構，其特征在于：所述的靶法蘭、冷卻法蘭、鈹靶和凹槽同軸心設置。

8.根據權利要求1所述的一種中子源靶核心結構，其特征在于：所述的螺栓孔A與螺栓孔B的直徑大小相同。