[發(fā)明專利]微流體通道結(jié)構(gòu)及制作方法、微流體檢測裝置及使用方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811312659.5 | 申請日: | 2018-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN111135878B | 公開(公告)日: | 2021-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬嘯塵;袁廣才;寧策;谷新;胡合合 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | B01L3/00 | 分類號: | B01L3/00;G01N35/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陳俊;陳嵐 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 流體 通道 結(jié)構(gòu) 制作方法 檢測 裝置 使用方法 | ||
公開了微流體通道結(jié)構(gòu)及其制作方法、微流體檢測裝置及其使用方法。微流體通道結(jié)構(gòu)包括支撐部;地基部,其布置在支撐部上并且包括相互隔開的第一地基和第二地基;以及通道限定部,其布置在地基部的遠離支撐部的一側(cè)并且包括第一通道層和第二通道層,其中第一通道層覆蓋第一地基,第二通道層覆蓋第二地基,并且第一通道層和第二通道層相互部分隔開以限定微流體通道。第一地基和第二地基具有與支撐部的表面平行的延伸方向,在與延伸方向垂直的平面內(nèi),第一地基和第二地基具有在從地基部指向支撐部的方向上漸縮的橫截面。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及微流體技術(shù)領(lǐng)域,并且具體涉及微流體通道(microfluidic channel)結(jié)構(gòu)及其制作方法、微流體檢測裝置及其使用方法。
背景技術(shù)
微流體器件通常稱為芯片實驗室(LOC)或微全分析系統(tǒng)(micro-TAS),其被用來通過操作少量的流體進行生物或化學(xué)反應(yīng),以用于生物分子的檢測和分析,例如基因測序、單蛋白質(zhì)檢測等。微流體通道是微流體器件的核心部件,其制作技術(shù)卻仍然低效、繁瑣且昂貴,并且因此存在改進的空間。
發(fā)明內(nèi)容
在一方面,本公開實施例提供了一種微流體通道結(jié)構(gòu),包括:支撐部;地基部,其布置在所述支撐部上并且包括相互隔開的第一地基和第二地基,其中所述第一地基和所述第二地基具有與所述支撐部的表面平行的延伸方向,在與所述延伸方向垂直的平面內(nèi),所述第一地基和所述第二地基具有在從所述地基部指向所述支撐部的方向上漸縮的橫截面;以及通道限定部,其布置在所述地基部的遠離所述支撐部的一側(cè)并且包括第一通道層和第二通道層,其中所述第一通道層覆蓋所述第一地基,所述第二通道層覆蓋所述第二地基,并且所述第一通道層和所述第二通道層相互部分隔開以限定微流體通道。
在一個或多個實施例中,所述第一地基和所述第二地基的橫截面呈倒梯形,或者所述橫截面的兩側(cè)呈圓弧形。
在一個或多個實施例中,所述地基部還包括布置在所述第一地基和所述第二地基的面向所述微流體通道的側(cè)面上的金屬反射層。
在一個或多個實施例中,每個所述第一地基和所述第二地基由兩個或更多個地基層順序堆疊形成,并且越靠近所述支撐部的地基層的刻蝕速率越高。
在一個或多個實施例中,每個所述第一地基和所述第二地基包括靠近所述支撐部的第一地基層和堆疊在所述第一地基層的遠離所述支撐部的一側(cè)上的第二地基層。
在一個或多個實施例中,所述第一地基層由氮化硅形成,并且所述第二地基層由氧化硅形成。
在一個或多個實施例中,每個所述第一地基和所述第二地基包括第一子地基,以及覆蓋所述第一子地基的頂面和側(cè)面的第二子地基。
在一個或多個實施例中,所述微流體通道結(jié)構(gòu)還包括布置在所述支撐部和所述地基部之間的光學(xué)膜層,其中所述光學(xué)膜層包括光學(xué)信號透射區(qū)和光學(xué)信號遮擋區(qū),其中所述光學(xué)信號透射區(qū)在所述支撐部上的正投影落在所述第一地基和所述第二地基的側(cè)面在所述支撐部上的正投影之內(nèi)。
在一個或多個實施例中,所述微流體通道在所述支撐部上的正投影落在所述光學(xué)信號遮擋區(qū)在所述支撐部上的正投影之內(nèi)。
在一個或多個實施例中,所述微流體通道具有與所述支撐部的表面平行的延伸方向,并且所述微流體通道的延伸方向平行于所述第一地基和所述第二地基的延伸方向。
在一個或多個實施例中,所述通道限定部還包括覆蓋所述第一地基的側(cè)面的第一通道壁以及覆蓋所述第二地基的側(cè)面的第二通道壁。
在一個或多個實施例中,所述通道限定部還包括連接所述第一通道壁和所述第二通道壁的第三通道層,并且所述第一通道壁、所述第二通道壁和所述第三通道層限定所述微流體通道。
在一個或多個實施例中,所述支撐部包括:襯底基板,以及激勵信號發(fā)射器,其布置在所述襯底基板的面向所述地基部的一側(cè)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811312659.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





