[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201811311036.6
• 申請日: 2018-11-06
• 公開（公告）號: CN111146198B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 李芳名;傅勝威;李宗曄
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 孫乳筍;王濤

1.一種半導體結構，其特征在于，所述的半導體結構包括：

一基底；

一磊晶層，設置于所述基底上；

一導電部件，設置于所述磊晶層中，且具有高于所述磊晶層的一突出部；以及

一擴散阻障層，設置于所述導電部件的多個側壁上，其中所述導電部件的底面與所述磊晶層直接接觸。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述的突出部的寬度大于在所述磊晶層中的所述導電部件的寬度。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述的突出部覆蓋所述擴散阻障層的頂表面。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述的擴散阻障層包括一或多個介電阻障層。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述的擴散阻障層包括一阻障氧化層及在所述阻障氧化層上的一阻障氮化層。

6.如權利要求1～5中任一權利要求所述的半導體結構，其特征在于，所述的半導體結構更包括：

一源極區，設置于所述磊晶層中，所述擴散阻障層接觸所述源極區且分隔所述源極區及所述導電部件。

7.如權利要求1～5中任一權利要求所述的半導體結構，其特征在于，所述的導電部件設置于兩個橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)之間，且所述導電部件穿過所述橫向擴散金屬氧化物半導體的一共同源極。

8.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的方法包括：

提供一基底；

于所述基底上形成一磊晶層；

于所述磊晶層上形成一遮罩結構，所述遮罩結構具有一開口，其露出部分所述磊晶層；

使用所述遮罩結構作為一蝕刻遮罩，以移除露出的所述磊晶層而形成一溝槽；

于所述溝槽的多個側壁上形成一擴散阻障層；

于所述溝槽中形成一導電部件，所述導電部件具有高于所述磊晶層的一突出部，其中所述導電部件的底面與所述磊晶層直接接觸；以及

移除所述遮罩結構。

9.如權利要求8所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的突出部的寬度大于在所述溝槽中的所述導電部件的寬度。

10.如權利要求8所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的突出部覆蓋所述擴散阻障層的頂表面。

11.如權利要求8所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的遮罩結構包括一或多個介電層。

12.如權利要求11所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的遮罩結構包括一第一氧化層及形成于所述第一氧化層上的一氮化層。

13.如權利要求12所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的遮罩結構更包括形成于所述氮化層上的一第二氧化層。

14.如權利要求11所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的遮罩結構為多個介電層，且所述遮罩結構的移除包括：

先移除部份所述遮罩結構并保留最接近所述磊晶層的一層所述介電層；以及

在移除部分所述遮罩結構之后，移除剩余的所述遮罩結構。

15.如權利要求8所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的擴散阻障層包括一或多個介電阻障層。

16.如權利要求15所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的擴散阻障層包括一阻障氧化層及形成于所述阻障氧化層上的一阻障氮化層。