[發(fā)明專利]存儲設備上的原子跨介質寫入

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811307776.2
• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN109885253A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設計）人: S·N·特麗卡;李鵬;J·B·卡恩;M·勒文
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/07
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 張立達;王英

1.一種裝置，包括：

兩個或更多個存儲器設備；以及

存儲控制器，其包括用于執(zhí)行以下操作的邏輯：

接收用于寫入第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)的原子多介質寫入事務請求；以及

同時且原子地使所述第一數(shù)據(jù)存儲在第一存儲器設備中并使所述第二數(shù)據(jù)存儲在第二存儲器設備中。

2.如權利要求1所述的裝置，包括所述裝置與主機計算平臺耦合，其中，所述原子多介質寫入事務請求的源是在所述主機計算平臺處執(zhí)行的應用和操作系統(tǒng)中的至少一個。

3.如權利要求1所述的裝置，其中，所述存儲器設備包括非易失性存儲器。

4.如權利要求3所述的裝置，其中，所述第一存儲器設備包括NAND存儲器，并且所述第二存儲器設備包括電力受保護的DRAM存儲器。

5.如權利要求3所述的裝置，其中，所述第一存儲器設備包括NAND存儲器，并且所述第二存儲器設備包括相變存儲器。

6.如權利要求1所述的裝置，其中，所述第一數(shù)據(jù)包括主用戶數(shù)據(jù)，并且所述第二數(shù)據(jù)包括與所述第一數(shù)據(jù)的存儲相關聯(lián)的元數(shù)據(jù)。

7.如權利要求1所述的裝置，其中，使所述第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一設備中包括執(zhí)行第一寫入介質操作以使所述第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲器設備中的第一粒度的第一命名空間中，并且其中，使所述第二數(shù)據(jù)存儲在所述第二設備中包括執(zhí)行第二寫入介質操作以使所述第二數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲器設備中的第二粒度的第二命名空間中。

8.如權利要求1所述的裝置，還包括斷電迫近(PLI)電力保護組件，其用于在到所述裝置的電力中斷時完成所述原子多介質事務請求。

9.如權利要求1所述的裝置，其中，所述邏輯包括：

請求組件，其用于接收用于寫入第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)的所述原子多介質寫入事務請求；

存儲數(shù)據(jù)組件，其用于將所述第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲器設備中；

存儲元數(shù)據(jù)組件，其用于將所述第二數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲器設備中；以及

電力故障組件，其用于在檢測到的電力故障事件之后使所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)被保留。

10.一種方法，包括：

在存儲設備的存儲控制器處接收原子多介質寫入事務請求，所述請求用于將第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)分別寫入第一存儲器設備和第二存儲器設備；

向所述原子多介質寫入事務請求的源發(fā)送對所述原子多介質寫入事務請求的完成的指示；以及

同時且原子地使所述第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲器設備中并使所述第二數(shù)據(jù)存儲在第二存儲器設備中。

11.如權利要求10所述的方法，包括接收斷電事件，并且其中，同時且原子地使所述第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲器設備中并使所述第二數(shù)據(jù)存儲在第二存儲器設備中包括至少部分地使用斷電迫近(PLI)電力保護組件來存儲所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)。

12.如權利要求10所述的方法，其中，所述存儲設備與主機計算平臺耦合，并且其中，所述原子多介質寫入事務請求的所述源是在所述主機計算平臺處執(zhí)行的應用和操作系統(tǒng)中的至少一個。

13.如權利要求10所述的方法，其中，所述第一數(shù)據(jù)包括主用戶數(shù)據(jù)，并且所述第二數(shù)據(jù)包括與所述第一數(shù)據(jù)的存儲相關聯(lián)的元數(shù)據(jù)。

14.如權利要求10所述的方法，其中，使所述第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一設備中包括執(zhí)行第一寫入介質操作以使所述第一數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲器設備中的第一粒度的第一命名空間中，并且其中，使所述第二數(shù)據(jù)存儲在所述第二設備中包括執(zhí)行第二寫入介質操作以使所述第二數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲器設備中的第二粒度的第二命名空間中。