[發明專利]磁隧道接面結構形成方法在審
| 申請號： | 201811307722.6 | 申請日： | 2018-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN109786546A | 公開（公告）日： | 2019-05-21 |
| 發明（設計）人： | 戴品仁;李忠儒;林仲德;呂志偉;田希文;彭泰彥;李乾銘;廖韋豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁隧道 接面 蝕刻制程 互連層 結構層 第二區域 第一區域 離子束 結構形成 遮蔽結構 遮罩層 蝕刻 底部電極 頂部電極 非反應性 介層孔 堆疊 移除 沉積 離子 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁隧道接面結構形成方法，其特征在于，包括：
形成一磁隧道接面結構層于一互連層上，該磁隧道接面結構層包括安插于一頂部電極與一底部電極之間的一磁隧道接面堆疊，其中該互連層包括一第一區域及一第二區域；
沉積一遮罩層在該第一區域中的該磁隧道接面結構層上；
形成多個遮蔽結構在該第二區域中的該磁隧道接面結構層上，其中所述多個遮蔽結構形成在設置于該互連層的該第二區域中的介層孔上方；
利用一離子束蝕刻制程蝕刻所述多個遮蔽結構之間的該磁隧道接面結構層，以于該互連層的該第二區域中的所述介層孔上方形成磁隧道接面結構；以及
利用該離子束蝕刻制程移除該互連層的該第一區域中的該遮罩層、該頂部電極、該磁隧道接面堆疊以及該底部電極的一部分。
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