[發明專利]晶片吸盤

有效

• 申請號: 201811307545.1
• 申請日: 2018-11-05
• 公開（公告）號: CN110556327B
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 廖思豪;余振華;郭宏瑞;胡毓祥;陳韋志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種晶片吸盤，其特征在于，包括：

吸盤本體，包括承載表面及設置在所述承載表面上的至少一個真空孔，所述承載表面被配置成承載晶片，其中所述承載表面的直徑對所述晶片的直徑的比率大于或等于45%且小于或等于90%；

多個密封環，設置在所述承載表面上且被配置成在實體上接觸所述晶片，其中所述密封環環繞所述真空孔；以及

邊緣環，環繞所述吸盤本體的邊緣，其中所述邊緣環的頂表面高于所述密封環中的每一者的頂表面。

2.根據權利要求1所述的晶片吸盤，所述多個密封環以同心的方式排列。

3.根據權利要求1所述的晶片吸盤，所述至少一個真空孔包括多個真空孔。

4.根據權利要求3所述的晶片吸盤，所述多個密封環中的每一者環繞所述多個真空孔中的至少一者。

5.根據權利要求1所述的晶片吸盤，所述多個密封環包括多個開口間隙。

6.根據權利要求1所述的晶片吸盤，多個開口間隙沿穿過所述吸盤本體的中心的方向彼此對齊。

7.一種晶片吸盤，其特征在于，包括：

吸盤本體，包括承載表面及設置在所述承載表面上的多個真空孔，所述承載表面被配置成承載晶片；

多個密封環，設置在所述承載表面上且被配置成在實體上接觸所述晶片，其中所述多個密封環環繞所述多個真空孔，所述多個密封環包括多個開口間隙，且所述多個開口間隙彼此對齊以在所述多個密封環之間界定出至少一個氣流通道，所述至少一個氣流通道將所述承載表面劃分成多個扇形，且所述多個真空孔平均地分布在所述扇形中的每一者上；以及

邊緣環，環繞所述吸盤本體的邊緣，其中所述邊緣環的頂表面高于所述密封環中的每一者的頂表面。

8.根據權利要求7所述的晶片吸盤，所述多個開口間隙沿穿過所述吸盤本體的中心的方向彼此對齊，且所述至少一個真空孔設置在所述承載表面的所述中心處。

9.根據權利要求7所述的晶片吸盤，其中所述邊緣環的頂表面高于所述密封環中的每一者的頂表面。

10.根據權利要求9所述的晶片吸盤，所述邊緣環的側面輪廓呈L形并用以作為所述晶片吸盤的唇緣密封件，且所述邊緣環被配置成接觸所述晶片的周邊以在所述晶片與所述晶片吸盤之間形成初始密封狀態。

11.根據權利要求7所述的晶片吸盤，所述多個真空孔中的一者設置在所述承載表面的中心處，且所述多個密封環中的每一者環繞所述多個真空孔中的至少一者。

12.根據權利要求7所述的晶片吸盤，所述至少一個氣流通道包括多個氣流通道，且所述多個氣流通道以放射狀方式排列。

13.根據權利要求7所述的晶片吸盤，其特征在于，所述至少一個氣流通道包括多個氣流通道，且所述多個氣流通道彼此平行。

14.根據權利要求7所述的晶片吸盤，所述至少一個氣流通道的形狀呈扇形形狀，且所述扇形的頂角介于2°到15°之間。

15.根據權利要求7所述的晶片吸盤，其特征在于，所述承載表面的直徑對所述晶片的直徑的比率等于或大于45%且等于或小于90%。