[發明專利]用于先進的集成電路結構制造的溝槽插塞硬掩模在審
| 申請號： | 201811306991.0 | 申請日： | 2018-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN109860296A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | A.圣阿穆爾;M.L.哈滕多夫;C.P.奧思 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/308;H01L21/768;H01L23/525;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周學斌;閆小龍 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極結構 鰭片 集成電路結構 電介質 側壁間隔 接觸插塞 溝槽接觸結構 制造 電介質材料 硬掩模材料 正交的 插塞 | ||
1.一種集成電路結構，包括：
包含硅的鰭片；
在所述鰭片之上的多個柵極結構，所述多個柵極結構中的各個柵極結構沿著與所述鰭片正交的方向并且具有一對電介質側壁間隔部；
溝槽接觸結構，其在所述鰭片之上并且直接在所述多個柵極結構中的第一對柵極結構的所述電介質側壁間隔部之間；
接觸插塞，其在所述鰭片之上并且直接在所述多個柵極結構中的第二對柵極結構的所述電介質側壁間隔部之間，所述接觸插塞包括下電介質材料和上硬掩模材料。
2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述接觸插塞的所述下電介質材料包括硅和氧，并且所述接觸插塞的所述上硬掩模材料包括硅和氮。
3.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述溝槽接觸結構包括下導電結構和在所述下導電結構上的電介質蓋。
4.根據權利要求3所述的集成電路結構，其中，所述溝槽接觸結構的所述電介質蓋具有與所述接觸插塞的上硬掩模材料的上表面共面的上表面。
5.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述多個柵極結構中的各個柵極結構包括在柵極電介質層上的柵電極和在所述柵電極上的電介質蓋。
6.根據權利要求5所述的集成電路結構，其中，所述多個柵極結構中的各個柵極結構的所述電介質蓋具有與所述接觸插塞的上硬掩模材料的上表面共面的上表面。
7.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述鰭片與塊狀晶體硅基板連續。
8.一種集成電路結構，包括：
包含硅的多個鰭片，所述多個鰭片中的各個鰭片是沿著第一方向；
在所述多個鰭片之上的多個柵極結構，所述多個柵極結構中的各個柵極結構沿著與第一方向正交的第二方向，并且所述多個柵極結構中的各個柵極結構具有一對電介質側壁間隔部；
溝槽接觸結構，其在所述多個鰭片中的第一鰭片之上并且直接在所述柵極結構中的一對柵極結構的所述電介質側壁間隔部之間；以及
接觸插塞，其在所述多個鰭片中的第二鰭片之上并且直接在所述多個柵極結構中的該對柵極結構的所述電介質側壁間隔部之間，所述接觸插塞包括下電介質材料和上硬掩模材料。
9.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述接觸插塞的所述下電介質材料包括硅和氧，并且所述接觸插塞的所述上硬掩模材料包括硅和氮。
10.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述溝槽接觸結構包括下導電結構和在所述下導電結構上的電介質蓋。
11.根據權利要求10所述的集成電路結構，其中，所述溝槽接觸結構的所述電介質蓋具有與所述接觸插塞的上硬掩模材料的上表面共面的上表面。
12.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述多個柵極結構中的各個柵極結構包括在柵極電介質層上的柵電極和在所述柵電極上的電介質蓋。
13.根據權利要求12所述的集成電路結構，其中，所述多個柵極結構中的各個柵極結構的所述電介質蓋具有與所述接觸插塞的上硬掩模材料的上表面共面的上表面。
14.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述多個鰭片與塊狀晶體硅基板連續。
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