[發明專利]一種應用于可見光通訊的調制發射電路在審
| 申請號: | 201811306934.2 | 申請日: | 2018-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN109167636A | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發明(設計)人: | 劉凱;賈濱;戴悅;魯涵;楊奕搏 | 申請(專利權)人: | 南京市高淳區復瑞生物醫藥先進技術研究院 |
| 主分類號: | H04B10/556 | 分類號: | H04B10/556;H04B10/116 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 211300 江蘇省南京*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 三極管 電容 調制發射電路 信號輸入端 二極管 可見光 電位器 無線電信道資源 發射功率 運放器 通訊 應用 占用 發射 | ||
本發明公開了一種應用于可見光通訊的調制發射電路,包括信號輸入端P3、信號輸入端P4、信號輸入端P5、三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4、三極管Q5、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C16、電容C17、電容C18、電容C19、高速運放器U2、MOS管、電位器RP1和電位器RP2。本發明的調制發射電路不占用有限的低頻無線電信道資源,實現成本低,發射功率大,發射速率高。
技術領域
本發明涉及調制發射電路技術領域,具體來說,涉及一種應用于可見光通訊的調制發射電路。
背景技術
傳統無線通訊信道擁擠,當前隨著物聯網的深入發展,無線連接的設備越來越多,然而物聯網設備通常使用藍牙、Zigbee、Wifi等工作于2.4G頻段的設,2.4G信道十分擁擠,影響通訊效率。現有可見光通訊方案其過于復雜,成本較高,難以應用于成本敏感的物聯網領域。現有可見光發射電路功率有限,難以實現遠距離傳輸。無調制的信息易受環境噪聲干擾。
針對相關技術中的問題,目前尚未提出有效的解決方案。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種不占用有限的低頻無線電信道資源的調制發射電路,實現成本低,發射功率大,發射速率高的特點。
本發明解決上述問題所采用的技術方案為:一種應用于可見光通訊的調制發射電路,包括分別接地的信號輸入端P3、信號輸入端P4和信號輸入端P5,所述信號輸入端P3分別與三極管Q1、三極管Q5的基極連接,所述三極管Q1的集電極分別與一電阻R2的一端及三極管Q4的基極連接,集電極與三極管Q2的發射極連接,所述三極管Q2的基極與所述信號輸入端P4連接,所述三極管Q2的集電極分別與電阻R3的一端及二極管D1的負極連接,所述二極管D1的正極分別與二極管D2的正極、電阻R1的一端及低通濾波器的一端連接,所述二極管D2的負極分別與電阻R4的一端及三極管Q3的集電極連接,所述三極管Q3的基極通過所述信號輸入端P5接地,所述三極管Q3的發射極與三極管Q5的集電極連接,所述低通濾波器的另一端通過電阻R8分別與電位器RP2的第一端及高速運放器U2的第二端連接,所述高速運放器U2的第三端與所述電位器RP1的第二端連接,所述電位器RP1的第一端接地,電位器RP1的第三端與電源正極連接,所述高速運放器U2的第四端與電源負極連接,所述高速運放器U2的第一端與所述電源正極連接,所述高速運放器U2的第五端與所述MOS管的柵極連接,所述MOS管的源極接地,所述MOS管的漏極分別與二極管D3的負極及電位器RP2的第二端及第三端連接,所述二極管D3的正極與所述電源正極連接,所述電阻R1、R2、R3、R4的另一端分別與電源正極連接,所述三極管Q1、Q4、Q5的發射極分別接地。
優選地,所述低通濾波器包括電阻R5、R6、R7,電容C17、C18、C19、C16,所述電阻R5的一端與所述二極管D1的正極相連,所述電阻R5的另一端分別與所述電阻R6的一端及所述電容C17的一端連接,所述電阻R6的另一端分別與所述電阻R7的一端及所述C18的一端連接,所述電阻R7的另一端分別與所述電容C16的一端及所述電容C19的一端連接,所述電容C17的另一端與所述電容C18的另一端及所述電容C19的另一端分別均接地,所述電容C16的另一端與所述電阻R8的一端相連。
優選地,所述信號輸入端P3接入發射電平,所述信號輸入端P4接入低頻基準調制信號,所述信號輸入端P5接入高頻基準調制信號,所述信號輸入端P3與所述信號輸入端P4及所述信號輸入端P5為SMA接口,所述信號輸入端P3與所述信號輸入端P4及所述信號輸入端P5與微控制單元MCU的引腳連接,所述微控制單元MCU型號為STM32F103C8T6。
優選地,所述三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、三極管Q4及三極管Q5均為S9014三極管。
優選地,所述二極管D1與所述二極管D2均為1N4148二極管,所述二極管D3為發光二極管。
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