[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811306319.1 | 申請日: | 2018-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN109585503B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 卓恩宗;張合靜 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成主動開關(guān);
在所述主動開關(guān)上形成色阻層;
在所述色阻層上形成第一電極層;
在所述第一電極層上形成發(fā)光二極管;
在所述發(fā)光二極管上形成第二電極層;
在所述第二電極層上形成封裝層;
設(shè)置驅(qū)動電路,與所述第一電極層和所述第二電極層電連接;
所述發(fā)光二極管包括紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層,所述紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和藍(lán)色發(fā)光層均包含鍺硅量子點(diǎn)材料;
其中,所述發(fā)光二極管包括:
電子注入層,與所述第一電極層電連接的;
第一電子傳輸層,形成于電子注入層上,所述紅色發(fā)光層形成于第一電子傳輸層上;
第一空穴傳輸層,形成于紅色發(fā)光層上;
第一中間連接器,形成于第一空穴傳輸層上;
第二電子傳輸層,形成于第一中間連接器上,所述綠色發(fā)光層形成于第二電子傳輸層上;
第二空穴傳輸層,形成于綠色發(fā)光層上;
第二中間連接器,形成于第二空穴傳輸層上;
第三電子傳輸層,形成于第二中間連接器上;
藍(lán)色發(fā)光層,形成于第三電子傳輸層上;
第三空穴傳輸層,形成于藍(lán)色發(fā)光層上;
空穴注入層,形成于所述第三空穴傳輸層上,與所述第二電極層電連接;
在所述第一電極層上形成發(fā)光二極管的步驟包括藍(lán)色發(fā)光層的制作方法:
形成膠束;
將膠束形成膠束棒;
將膠束棒按六角形排列形成六角矩陣;
將六角矩陣根據(jù)有機(jī)分子模板自組裝機(jī)制形成模板中間組;
將模板中間組培燒去除模板形成二氧化硅框架;
在二氧化硅框架內(nèi)填充鍺硅量子點(diǎn)材料;
其中,分子模板包括二氧化硅材料制作形成的孔壁;所述孔壁上包括銦鎵鋅氧化物材料的納米晶體,所述納米晶體包含鍺和硅兩種化學(xué)元素;所述分子模板采用鏤空的結(jié)構(gòu),銦鎵鋅氧化物材料的納米晶體均勻地與介孔二氧化硅混合;位于主體的分子模板表面的硅-氫氧根功能組轉(zhuǎn)換為納米銦鎵鋅氧化物材料、鍺、硅所需的納米粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層包括二氧化硅框架,所述鍺硅量子點(diǎn)材料形成于所述二氧化硅框架內(nèi),所述二氧化硅框架包括若干圓柱形的孔洞,所述孔洞貫穿二氧化硅框架,所述鍺硅量子點(diǎn)材料填充于所述孔洞內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述主動開關(guān)包括:
源極和漏極,形成于顯示面板的基板上;
兩個邊坡結(jié)構(gòu),形成于基板上并分別部分覆蓋源極和漏極,兩個邊坡結(jié)構(gòu)之間形成凹槽結(jié)構(gòu);
半導(dǎo)體層,設(shè)置在兩個邊坡結(jié)構(gòu)之間,連接源極和漏極;
介電層,設(shè)置在兩個邊坡結(jié)構(gòu)之間,形成于半導(dǎo)體層上;
柵極,形成于所述介電層上;
鈍化層,形成于柵極上;
所述半導(dǎo)體層包括二氧化硅框架,所述二氧化硅框架內(nèi)設(shè)置包含銦鎵鋅氧化物材料的納米晶體。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





