[發(fā)明專利]一種基于固態(tài)納米孔技術(shù)的多糖單分子結(jié)構(gòu)解析方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811305786.2
• 申請(qǐng)日: 2018-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN109358106B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡瑤;梁麗媛;王德強(qiáng);張保才;謝婉誼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): G01N27/447
• 分類號(hào): G01N27/447
• 代理公司: 北京元本知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11308
• 代理人: 黎昌莉

1.一種基于固態(tài)納米孔技術(shù)的多糖單分子結(jié)構(gòu)解析方法，其特征在于，所述方法采用化學(xué)修飾的固態(tài)納米孔作為檢測(cè)工具，通過多糖分子在電泳作用下通過化學(xué)修飾的固態(tài)納米孔時(shí)與修飾物之間的相互作用所引起的電學(xué)參數(shù)的變化對(duì)多糖分子進(jìn)行分析，通過對(duì)過孔阻塞電流幅值和阻塞時(shí)間的分析得到多糖單分子的結(jié)構(gòu)信息，所述化學(xué)修飾為采用3-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷進(jìn)行硅烷化處理后精氨酸修飾，所述電泳過程為：固態(tài)納米孔芯片夾在流動(dòng)池中，流動(dòng)池被分隔為兩個(gè)獨(dú)立的儲(chǔ)液腔：反式腔和順式腔；在反式腔和順式腔中分別注入電解液，并在順式腔中添加待檢測(cè)多糖，將兩儲(chǔ)液腔的電極連接電源，通過施加一定的電壓驅(qū)使多糖分子過孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述固態(tài)納米孔的尺寸為4-6nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述固態(tài)納米孔位于氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜或石墨烯薄膜上。

4.一種利用固態(tài)納米孔芯片檢測(cè)多糖分子結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，待檢測(cè)的多糖分子電泳通過所述固態(tài)納米孔芯片上的固態(tài)納米孔，從而產(chǎn)生過孔阻塞電流信號(hào)，通過記錄的電流信號(hào)幅值和阻塞時(shí)間來分析過孔分子的結(jié)構(gòu)信息；所述電泳過程為：固態(tài)納米孔芯片夾在流動(dòng)池中，流動(dòng)池被分隔為兩個(gè)獨(dú)立的儲(chǔ)液腔：反式腔和順式腔；在反式腔和順式腔中分別注入電解液，并在順式腔中添加待檢測(cè)多糖，將兩儲(chǔ)液腔的電極連接電源，通過施加一定的電壓驅(qū)使多糖分子過孔;所述固態(tài)納米孔芯片的制備方法包括以下步驟：

1）固態(tài)納米孔的制備：采用多級(jí)電流脈沖擊穿法，通過調(diào)節(jié)脈沖電流和步長(zhǎng)，在芯片上制備尺寸為4-6nm的納米孔；

2）硅烷化修飾：步驟1）獲得的芯片經(jīng)過食人魚溶液處理后，進(jìn)行硅烷化處理；

3）精氨酸修飾：步驟2）硅烷化修飾的芯片浸泡于精氨酸溶液中進(jìn)行精氨酸修飾，清洗后獲得用于檢測(cè)多糖的固態(tài)納米孔芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯片為氮化硅薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述硅烷化處理使用3-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷，并在氮?dú)獗Ｗo(hù)下于干燥的甲苯中進(jìn)行硅烷化處理。