[發(fā)明專利]一種鍍膜設(shè)備及鍍膜方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811303695.5
• 申請(qǐng)日: 2018-11-02
• 公開（公告）號(hào): CN111206208A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辛科;楊立紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京鉑陽(yáng)頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/02
• 分類號(hào): C23C14/02;C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜設(shè)備包括相連接的第一沉積腔室和第二沉積腔室，其中：

所述第一沉積腔室和第二沉積腔室均包括至少一排非金屬蒸發(fā)源，每一排所述非金屬蒸發(fā)源對(duì)應(yīng)至少兩排金屬蒸發(fā)源，在每一排所述非金屬蒸發(fā)源對(duì)應(yīng)的金屬蒸發(fā)源中，至少兩排金屬蒸發(fā)源相對(duì)于該排非金屬蒸發(fā)源對(duì)稱設(shè)置；

其中，第二沉積腔室中每排金屬蒸發(fā)源的總數(shù)量為6個(gè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，

所述第一沉積腔室的金屬蒸發(fā)源設(shè)置在第一沉積腔室的底部，所述第一沉積腔室的金屬蒸發(fā)源包括Ga蒸發(fā)源和In蒸發(fā)源；所述第一沉積腔室的非金屬蒸發(fā)源包括Se蒸發(fā)源；

和/或

所述第二沉積腔室的金屬蒸發(fā)源設(shè)置在第二沉積腔室的底部，所述第二沉積腔室的金屬蒸發(fā)源包括Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源和Ga蒸發(fā)源；所述第二沉積腔室的非金屬蒸發(fā)源包括Se蒸發(fā)源。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，

所述第一沉積腔室的底部包括相對(duì)設(shè)置的兩側(cè)，每一側(cè)設(shè)置有至少一排金屬蒸發(fā)源，且每排金屬蒸發(fā)源的總數(shù)量為M個(gè)，其中，M為大于等于2且小于等于7的整數(shù)；所述第一沉積腔室的每排非金屬蒸發(fā)源的總數(shù)量為N個(gè)，其中，N為大于等于3小于等于9的整數(shù)；

和/或

所述第二沉積腔室的底部包括相對(duì)設(shè)置的兩側(cè)，每一側(cè)設(shè)置有至少一排金屬蒸發(fā)源；所述第二沉積腔室的每排非金屬蒸發(fā)源的總數(shù)量為Y個(gè)，其中，Y為大于等于7小于等于15的整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，

所述第一沉積腔室的每排金屬蒸發(fā)源沿所述第一沉積腔室長(zhǎng)度方向的排布順序依次為：

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或

Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源；或

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源；或

Ga蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或

Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或

Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源；或

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源；

和/或

所述第二沉積腔室的每排金屬蒸發(fā)源沿所述第二沉積腔室長(zhǎng)度方向的排布順序依次為：

Cu蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源；或

Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源；或

In蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源；或

In蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源；或

Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源；或

Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源；或

In蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源；或

Cu蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Cu蒸發(fā)源、Ga蒸發(fā)源、In蒸發(fā)源。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，

所述第一沉積腔室的每排相鄰兩個(gè)金屬蒸發(fā)源之間具有間隙；當(dāng)所述第一沉積腔室的每一側(cè)金屬蒸發(fā)源為多排時(shí)，多排金屬蒸發(fā)源對(duì)齊或交錯(cuò)設(shè)置；

所述第一沉積腔室的每排相鄰兩個(gè)非金屬蒸發(fā)源之間具有間隙；當(dāng)所述第一沉積腔室的非金屬蒸發(fā)源為多排時(shí)，多排非金屬蒸發(fā)源對(duì)齊或交錯(cuò)設(shè)置；

和/或

所述第二沉積腔室的每排相鄰兩個(gè)金屬蒸發(fā)源之間具有間隙；當(dāng)所述第二沉積腔室的每一側(cè)金屬蒸發(fā)源為多排時(shí)，多排金屬蒸發(fā)源對(duì)齊或交錯(cuò)設(shè)置；

所述第二沉積腔室的每排相鄰兩個(gè)非金屬蒸發(fā)源之間具有間隙；當(dāng)所述第二沉積腔室的非金屬蒸發(fā)源為多排時(shí)，多排非金屬蒸發(fā)源對(duì)齊或交錯(cuò)設(shè)置。