[發明專利]發聲裝置和耳機在審
| 申請號: | 201811303543.5 | 申請日: | 2018-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN109348339A | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 郭曉冬;侯燕燕;劉春發 | 申請(專利權)人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號: | H04R1/10 | 分類號: | H04R1/10;H04R9/02;H04R9/06 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智;馬佑平 |
| 地址: | 261031 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 音圈 磁路系統 導電柱 上端面 發聲裝置 通孔 電連接點 振動組件 磁間隙 上端 耳機 振膜 電連接 磁部 齊平 穿過 外圍 | ||
本發明涉及一種發聲裝置和耳機。發聲裝置包括:磁路系統,磁路系統的中心部位形成有通孔,磁路系統在通孔外圍形成有環形的磁間隙;振動組件,振動組件包括振膜和音圈,音圈連接在振膜的一側表面上,音圈懸于磁間隙中;導電柱,導電柱穿過通孔并從磁路系統的上端露出,導電柱的頂端具有兩個第一電連接點,音圈內側引出有兩支引線,兩支引線分別與兩個第一電連接點電連接;導電柱的上端面齊平于或低于音圈的上端面,導電柱的上端面與音圈的上端面之間的距離為第一距離L1,磁路系統的中心磁部的上端面與音圈的上端面的距離為第二距離L2,第一距離L1大于或等于0,第一距離L1小于或等于0.3倍的第二距離L2。
技術領域
本發明屬于電聲換能技術領域,具體地,本發明涉及一種發聲裝置。
背景技術
近年來,消費類電子產品的得到快速發展,智能手機、VR設備等電子設備得到消費者的認可,得到了廣泛的應用。本領域技術人員對相關的配套產品如耳機等也相應進行了改進,以滿足電子產品的性能要求,滿足消費者對產品性能的需要。
發聲裝置是消費類電子產品中重要的電聲換能部件,其作為揚聲器、聽筒、耳機等得到廣泛的應用。隨著電子產品的性能改進,有關發聲裝置的聲學性能的改進也是必然的趨勢。為了滿足更好的聲學性能,發聲裝置往往需要配置尺寸更大的、磁場強度更強的磁路系統。在發聲裝置中,音圈的尺寸與磁路系統的尺寸是相互匹配的。但是,以應用在耳機等電子產品上的發聲裝置為例,音圈的引線以及相關電路部件設置在音圈的外側,從而限制了音圈以及磁路系統的尺寸,造成難以優化聲學性能的問題。另一方面,音圈在發聲裝置中振動時容易產生偏振,從而造成聲學效果出現瑕疵。此外,發聲裝置需要在音圈的振動方向上為引線留出足夠的空間,以免引線與其它部件發生擦碰,這會造成發聲裝置外圍的支架在音圈的振動方向上的高度增加,造成發聲裝置的體積增大,不利于配置更大尺寸的磁路系統。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種改進的發聲裝置。
根據本發明的一個方面,提供了一種發聲裝置,包括:
磁路系統,所述磁路系統的中心形成有通孔,所述磁路系統在所述通孔外圍形成有環形的磁間隙;
振動組件,所述振動組件包括振膜和音圈,所述音圈連接在所述振膜的一側表面上,所述振膜的邊緣固定在所述發聲裝置中,所述音圈懸于所述磁間隙中;
導電柱,所述導電柱穿過所述通孔并從所述磁路系統的上端露出,所述導電柱的頂端具有兩個第一電連接點,所述音圈內側引出有兩支引線,兩支引線分別與兩個所述第一電連接點電連接;
所述導電柱的上端面齊平于或低于所述音圈的上端面,所述導電柱的上端面與所述音圈的上端面之間的距離為第一距離L1,所述磁路系統的中心磁部的上端面與所述音圈的上端面的距離為第二距離L2,所述第一距離L1大于或等于0,所述第一距離L1小于或等于0.3倍的第二距離L2。
可選地,所述磁路系統的外周的直徑為第一直徑D1,所述導電柱的位于所述通孔中的部分的直徑為第二直徑D2,所述第二直徑D2小于或等于0.32倍的第一直徑D1。
可選地,所述磁路系統的外周的直徑為第一直徑D1,所述發聲裝置的外周的直徑為第三直徑D3,所述第一直徑D1與第三直徑D3的比值大于或等于0.65。
可選地,兩支引線從所述音圈上引出的位置相對于所述音圈的中心呈中心對稱。
可選地,兩支所述引線從所述音圈上彎折延伸至兩個所述第一電連接點。
可選地,兩支所述引線呈V型延伸;或者呈S型延伸。
可選地,兩支所述引線相對于所述音圈的一條徑向的對稱軸呈軸對稱。
可選地,所述導電柱的底端形成有兩個第二電連接點,兩個所述第二電連接點被配置為用于與外部設備形成電連接,兩個所述第二電連接點分別與兩個所述第一電連接點形成電連接。
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