[發(fā)明專利]沉積腔室、鍍膜設(shè)備及鍍膜方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811303034.2
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN111206219A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田保峽;聞益;曲士座
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種沉積腔室，其特征在于，包括至少兩排金屬蒸發(fā)源和至少一排非金屬蒸發(fā)源；

每排所述金屬蒸發(fā)源包括至少兩種金屬蒸發(fā)源；

沿著所述沉積腔室的幅長方向，所述至少兩排金屬蒸發(fā)源分別設(shè)置于所述沉積腔室的兩側(cè)，且每排所述金屬蒸發(fā)源成直線排布；每排所述金屬蒸發(fā)源的總數(shù)量為10個。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，每排所述金屬蒸發(fā)源包括鎵Ga蒸發(fā)源、銦In蒸發(fā)源和銅Cu蒸發(fā)源；或/和所述非金屬蒸發(fā)源為Se蒸發(fā)源；

在相鄰兩排所述金屬蒸發(fā)源之間設(shè)置至少一排所述非金屬蒸發(fā)源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積腔室，其特征在于，沿著所述沉積腔室的幅長方向，至少兩排所述金屬蒸發(fā)源分別設(shè)置于所述沉積腔室的底部；或/和

每排相鄰兩個所述金屬蒸發(fā)源之間設(shè)置有間隙；或/和

所述非金屬蒸發(fā)源為1～5排；或/和

每排相鄰兩個所述非金屬蒸發(fā)源之間具有間隙，每排所述非金屬蒸發(fā)源的個數(shù)為3～18個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的沉積腔室，其特征在于，沿所述沉積腔室的幅長方向，每排所述金屬蒸發(fā)源的排布順序依次為：

Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源；或者

In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Cu蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源，Ga蒸發(fā)源，In蒸發(fā)源。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的沉積腔室，其特征在于，所述Cu蒸發(fā)源的中心線、In蒸發(fā)源的中心線和Ga蒸發(fā)源的中心線與參考線之間的夾角為20-45度，所述參考線為垂直于所述沉積腔室的底部的直線。

6.一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1～5任一項所述的沉積腔室；或/和

所述鍍膜設(shè)備包括前處理腔室或/和后處理腔室，所述前處理腔室或/和所述后處理腔室中設(shè)置有堿金屬化合物蒸發(fā)源。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述沉積腔室設(shè)置于所述前處理腔室與所述后處理腔室之間；且在所述前處理腔室與所述沉積腔室之間或/和在所述沉積腔室和所述后處理腔室之間設(shè)置加熱腔室。

8.一種鍍膜方法，應(yīng)用于權(quán)利要求6或7所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述方法包括：

控制沉積腔室的溫度達到預(yù)設(shè)溫度閾值，在沉積腔室中通過沉積工藝在玻璃襯底的表面沉積形成CIGS薄膜。