[發明專利]體聲波諧振器及其制造方法在審
| 申請號： | 201811301901.9 | 申請日： | 2018-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN109546985A | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 龐慰;鄭云卓 | 申請（專利權）人： | 天津大學;諾思（天津）微系統有限責任公司 |
| 主分類號： | H03H9/02 | 分類號： | H03H9/02;H03H3/02;H03H3/007 |
| 代理公司： | 北京漢智嘉成知識產權代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜勁;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 體聲波諧振器 聲阻抗 硅襯底 制造 聲波諧振器 諧振 橫向傳播 聲波模式 依次布置 有效區域 底電極 頂電極 空氣腔 內邊緣 諧振器 壓電層 種體 | ||
1.一種體聲波諧振器，包括自下而上依次布置的硅襯底、底電極、壓電層、頂電極，以及所述硅襯底中的空氣腔，其特征在于，
所述體聲波諧振器還包括橫向聲阻抗結構，所述橫向聲阻抗結構的內邊緣位于所述體聲波諧振器的諧振有效區域之外。
2.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述橫向聲阻抗結構包括橫向交替布置的高聲阻抗結構和低聲阻抗結構。
3.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述橫向聲阻抗結構的材料是單一的高聲阻抗材料或單一的低聲阻抗材料。
4.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述橫向聲阻抗結構的材料與底電極或頂電極的材料相同。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述橫向聲阻抗結構的厚度小于或等于所述壓電層厚度。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述橫向聲阻抗結構的寬度是1/4橫向傳播聲波波長的奇數倍。
7.一種制造體聲波諧振器的方法，其特征在于，包括：
在硅襯底上制作凹槽；
在所述凹槽中填充犧牲材料；
在所述硅襯底上制作底電極；
在所述底電極上制作橫向聲阻抗結構；
制作所述體聲波諧振器的壓電層；
在所述壓電層表面制作頂電極；
去除所述犧牲材料，
其中，所述橫向聲阻抗結構的內邊緣位于所述體聲波諧振器的諧振有效區域之外。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，
所述橫向聲阻抗結構包括橫向交替布置的高聲阻抗結構和低聲阻抗結構；或者，
所述橫向聲阻抗結構的材料是單一的高聲阻抗材料或單一的低聲阻抗材料。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，制作所述體聲波諧振器的壓電層的步驟包括：
在所述硅襯底和底電極上沉積壓電層材料；
對所述壓電層材料進行磨平以得到表面平整的壓電層。
10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述橫向聲阻抗結構的厚度小于或等于所述壓電層厚度。
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