[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811301115.9
• 申請(qǐng)日: 2018-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111146268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 甘鎧銓;許書(shū)維;宋建憲;陳姿亙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯;任默聞

一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法，該半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板、設(shè)置于上述半導(dǎo)體基板中的埋藏層、設(shè)置于上述埋藏層上及上述半導(dǎo)體基板中的第一阱區(qū)、第二阱區(qū)、第三阱區(qū)與第四阱區(qū)。上述半導(dǎo)體裝置亦包括設(shè)置于上述第二阱區(qū)中的源極區(qū)、設(shè)置于上述第一阱區(qū)中的漏極區(qū)、設(shè)置于上述第一阱區(qū)與上述第二阱區(qū)之上的柵極結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置于上述半導(dǎo)體基板中且圍繞上述源極區(qū)與上述漏極區(qū)的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。上述第二阱區(qū)圍繞上述第一阱區(qū)。上述第三阱區(qū)與上述第四阱區(qū)位于上述第二阱區(qū)的相對(duì)兩側(cè)。上述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)穿過(guò)上述埋藏層。本發(fā)明可降低半導(dǎo)體裝置的尺寸、減少或避免基板漏電流的發(fā)生，并避免或減輕閂鎖效應(yīng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，且特別有關(guān)于一種具有深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置已廣泛地使用于各種電子產(chǎn)品中，舉例而言，諸如個(gè)人電腦、手機(jī)、以及數(shù)字相機(jī)等。半導(dǎo)體裝置的制造通常是通過(guò)在半導(dǎo)體基板上形成絕緣層或介電層、導(dǎo)電層以及半導(dǎo)體層，接著使用光刻工藝圖案化所形成的各種材料層，藉以在此半導(dǎo)體基板之上形成電路零件及組件。

現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置及其制造方法大抵上可滿足一般需求，然而隨著裝置的微型化，其并非在各方面皆令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例包括一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板、設(shè)置于上述半導(dǎo)體基板中的埋藏層、設(shè)置于上述埋藏層上及上述半導(dǎo)體基板中的第一阱區(qū)、設(shè)置于上述埋藏層上及上述半導(dǎo)體基板中的第二阱區(qū)。上述第二阱區(qū)圍繞上述第一阱區(qū)。上述半導(dǎo)體裝置亦包括設(shè)置于上述埋藏層上及上述半導(dǎo)體基板中的第三阱區(qū)與第四阱區(qū)。上述第三阱區(qū)與上述第四阱區(qū)位于上述第二阱區(qū)的相對(duì)兩側(cè)。上述半導(dǎo)體裝置亦包括設(shè)置于上述第二阱區(qū)中的源極區(qū)、設(shè)置于上述第一阱區(qū)中的漏極區(qū)、設(shè)置于上述第一阱區(qū)與上述第二阱區(qū)之上的柵極結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置于上述半導(dǎo)體基板中且圍繞上述源極區(qū)與上述漏極區(qū)的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。上述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)穿過(guò)上述埋藏層。

本發(fā)明實(shí)施例亦包括一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板、設(shè)置于上述半導(dǎo)體基板中的埋藏層、設(shè)置于上述埋藏層上及上述半導(dǎo)體基板中的第一阱區(qū)、設(shè)置于上述埋藏層上及上述半導(dǎo)體基板中的第二阱區(qū)。上述第二阱區(qū)環(huán)繞上述第一阱區(qū)。上述半導(dǎo)體裝置亦包括設(shè)置于上述埋藏層上及上述半導(dǎo)體基板中的第三阱區(qū)與第四阱區(qū)。上述第三阱區(qū)與上述第四阱區(qū)相鄰于上述第二阱區(qū)，且上述第三阱區(qū)與上述第四阱區(qū)彼此分離。上述埋藏層、上述第一阱區(qū)、上述第三阱區(qū)以及上述第四阱區(qū)具有第一導(dǎo)電型態(tài)，上述第二阱區(qū)具有相反于上述第一導(dǎo)電型態(tài)的第二導(dǎo)電型態(tài)。上述半導(dǎo)體裝置亦包括設(shè)置于上述第二阱區(qū)中的源極區(qū)、設(shè)置于上述第一阱區(qū)中的漏極區(qū)、設(shè)置于上述第一阱區(qū)與上述第二阱區(qū)之上的柵極結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置于上述半導(dǎo)體基板中且環(huán)繞上述第二阱區(qū)的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。上述深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的底表面低于上述埋藏層的底表面。

本發(fā)明實(shí)施例亦包括一種半導(dǎo)體裝置的形成方法。上述方法包括提供半導(dǎo)體基板，上述半導(dǎo)體基板中設(shè)置有埋藏層，上述方法亦包括于上述半導(dǎo)體基板中及上述埋藏層之上形成第一阱區(qū)、第二阱區(qū)、第三阱區(qū)以及第四阱區(qū)，上述第二阱區(qū)環(huán)繞上述第一阱區(qū)，上述第三阱區(qū)與上述第四阱區(qū)部分地環(huán)繞上述第二阱區(qū)，上述第三阱區(qū)與上述第四阱區(qū)彼此分離。上述埋藏層、上述第一阱區(qū)、上述第三阱區(qū)以及上述第四阱區(qū)具有第一導(dǎo)電型態(tài)，上述第二阱區(qū)具有相反于上述第一導(dǎo)電型態(tài)的第二導(dǎo)電型態(tài)，上述方法亦包括于上述第二阱區(qū)中形成源極區(qū)、于上述第一阱區(qū)中形成漏極區(qū)、于上述第一阱區(qū)與上述第二阱區(qū)之上形成柵極結(jié)構(gòu)、以及于上述半導(dǎo)體基板中形成深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括部分圍繞源極區(qū)的多個(gè)阱區(qū)、以及圍繞源極區(qū)與漏極區(qū)的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，藉此可降低半導(dǎo)體裝置的尺寸、減少或避免基板漏電流的發(fā)生，并避免或減輕閂鎖效應(yīng)。

附圖說(shuō)明

以下將配合所附圖式詳述本發(fā)明實(shí)施例。應(yīng)注意的是，各種特征部件并未按照比例繪制且僅用以說(shuō)明示例。事實(shí)上，器件的尺寸可能經(jīng)放大或縮小，以清楚地表現(xiàn)出本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)特征。